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FDB6696L86Z

更新时间： 2024-09-29 21:17:43
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 68K
描述
Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

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FDB6696L86Z 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84雪崩能效等级（Eas）：165 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：52 A
最大漏源导通电阻：0.01 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：150 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDB6696L86Z 数据手册

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January 2002  
PRELIMINARY  
FDP6696 / FDB6696  
N-Channel Logic Level PowerTrenchÒ MOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel MOSFET has been designed  
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC  
converters using either synchronous or conventional  
switching PWM controllers. It has been optimized for  
low gate charge, low RDS(ON) and fast switching speed.  
· 52 A, 30 V  
RDS(ON) = 10 mW @ VGS = 10 V  
RDS(ON) = 12.5 mW @ VGS = 4.5 V  
· Critical DC electrical parameters specified at  
elevated temperature  
Applications  
· High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
· Synchronous rectifier  
· DC/DC converter  
· 175°C maximum junction temperature rating  
D
D
G
G
G
S
TO-263AB  
FDB Series  
TO-220  
FDP Series  
D
S
S
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
30  
V
V
A
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
± 16  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1)  
(Note 1)  
52  
150  
PD  
Total Power Dissipation @ TC = 25°C  
58  
W
W/°C  
°C  
Derate above 25°C  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
0.4  
TJ, TSTG  
–65 to +175  
Thermal Characteristics  
RqJC  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
2.6  
°C/W  
°C/W  
RqJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
62.5  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
FDB6696  
FDP6696  
Re el Size  
Tape width  
24mm  
Quantity  
FDB6696  
13’’  
800 units  
45  
FDP6696  
Tube  
n/a  
Ó2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDP6696 Rev B(W)  
12345

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与FDB6696L86Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDB6696L99Z FAIRCHILD

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 		暂无描述
FDB6696S62Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FDB66N15 FAIRCHILD

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 		150V N-Channel MOSFET
FDB66N15TM FAIRCHILD

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 		150V N-Channel MOSFET
FDB7030BL ONSEMI

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 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，逻辑电平，30V，60A，9mΩ
FDB7030BL FAIRCHILD

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 		N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET
FDB7030BLL86Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FDB7030BLS FAIRCHILD

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FDB7030BLSL86Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 30V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDB7030BLSS62Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 30V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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