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FDB66N15TM

更新时间： 2024-01-03 16:24:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
8页 685K
描述
150V N-Channel MOSFET

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FDB66N15TM 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-263
包装说明：LEAD FREE, D2PAK-3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.46
雪崩能效等级（Eas）：1240 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：150 V
最大漏极电流 (ID)：66 A最大漏源导通电阻：0.036 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：264 A认证状态：COMMERCIAL
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

FDB66N15TM 数据手册

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September 2005  
TM  
UniFET  
FDB66N15  
150V N-Channel MOSFET  
Features  
Description  
•
•
•
•
•
•
66A, 150V, R  
= 0.036Ω @V = 10 V  
These N-Channel enhancement mode power field effect transis-  
tors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe,  
DMOS technology.  
DS(on)  
GS  
Low gate charge ( typical 49 nC)  
Low C ( typical 78.5 pF)  
rss  
This advanced technology has been especially tailored to mini-  
mize on-state resistance, provide superior switching perfor-  
mance, and withstand high energy pulse in the avalanche and  
commutation mode. These devices are well suited for high effi-  
cient switched mode power supplies and active power factor  
correction.  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
{
D
z
ꢀ ꢁ  
z
z
{
G
{
S
G
S
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
FDB66N15  
Unit  
V
I
Drain-Source Voltage  
Drain Current  
150  
V
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
66  
41.8  
A
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
C
(Note 1)  
(Note 2)  
I
Drain Current  
- Pulsed  
264  
30  
A
V
DM  
V
Gate-Source voltage  
GSS  
AS  
E
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
1240  
66  
mJ  
A
I
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
35.7  
4.5  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
P
Power Dissipation  
(T = 25°C)  
357  
W
D
C
- Derate above 25°C  
2.86  
W/°C  
T
T
T
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
J, STG  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,  
1/8” from Case for 5 Seconds  
L
300  
°C  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Min.  
Max.  
0.35  
40  
Unit  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient*  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
--  
--  
--  
θJC  
*
θJA  
θJA  
62.5  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDB66N15 Rev A  
1
www.fairchildsemi.com  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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