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FDB6676L86Z

更新时间： 2024-02-19 01:10:29

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	82K
描述
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3

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FDB6676L86Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.75	雪崩能效等级（Eas）：	370 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	75 A
最大漏源导通电阻：	0.006 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	240 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDB6676L86Z 数据手册

April 2001

FDP6676/FDB6676

30V N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET

General Description

Features

This N-Channel MOSFET has been designed

specifically to improve the overall efficiency of DC/DC

converters using either synchronous or conventional

switching PWM controllers. It has been optimized for

“low side” synchronous rectifier operation, providing an

• 42 A, 30 V.

R_DS(ON)= 6.0 mΩ @ V_GS= 10 V

_DS(ON)= 7.5 mΩ @ V_GS= 4.5 V

• Critical DC electrical parameters specified at

extremely low R_DS(ON)

elevated temperature

Applications

• High performance trench technology for extremely

low R_DS(ON)

• Synchronous rectifier

• DC/DC converter

• 175°C maximum junction temperature rating

TO-263AB

FDB Series

TO-220

FDP Series

Absolute Maximum Ratings T_A=25^oC unless otherwise noted

Symbol

V_DSS

Parameter

Drain-Source Voltage

Ratings

Units

V_GSS

Gate-Source Voltage

± 16

I_D

Drain Current – Continuous

– Pulsed

(Note 1)

240

P_D

W°C

°C

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

0.48

Derate above 25°C

Operating and Storage Junction Temperature Range

T_J, T_STG

-65 to +175

Thermal Characteristics

R_θJC

Thermal Resistance, Junction-to-Case

1.6

°C/W

R_θJA

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

62.5

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

FDP6676

Device

FDP6676

FDB6676

Reel Size

Tube

Tape width

n/a

24mm

Quantity

800 units

FDB6676

13”

FDP6676/FDB6676 Rev C(W)

2000 Fairchild Semiconductor Corporation

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDB6676L99Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FDB6676S	FAIRCHILD	获取价格	30V N-Channel PowerTrench SyncFET⑩
FDB6676SL86Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 76A I(D), 30V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDB6676SS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 76A I(D), 30V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDB6688	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 96A I(D), 30V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FDB6690S	FAIRCHILD	获取价格	30V N-Channel PowerTrench SyncFET
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FDB6696L86Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
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FDB6696S62Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

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