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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDB6670AS_NL
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FDB6670AS_NL

更新时间： 2024-09-26 21:53:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
6页 100K
描述
30V N-Channel PowerTrench SyncFET

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FDB6670AS_NL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：LEAD FREE PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.19
Is Samacsys：N外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：62 A最大漏极电流 (ID)：62 A
最大漏源导通电阻：0.0085 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：62.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：150 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDB6670AS_NL 数据手册

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January 2005  
FDP6670AS/FDB6670AS  
30V N-Channel PowerTrench® SyncFET™  
General Description  
Features  
This MOSFET is designed to replace a single MOSFET  
and parallel Schottky diode in synchronous DC:DC  
power supplies. This 30V MOSFET is designed to  
maximize power conversion efficiency, providing a low  
• 31 A, 30 V.  
RDS(ON) = 8.5 mΩ @ VGS = 10 V  
RDS(ON) = 10.5 mΩ @ VGS = 4.5 V  
• Includes SyncFET Schottky body diode  
• Low gate charge (28nC typical)  
RDS(ON)  
and low gate charge.  
The FDP6670AS  
includes an integrated Schottky diode using Fairchild’s  
monolithic SyncFET technology. The performance of  
the FDP6670AS/FDB6670AS as the low-side switch in  
a synchronous rectifier is indistinguishable from the  
performance of the FDP6670A/FDB6670A in parallel  
with a Schottky diode.  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON) and fast switching  
• High power and current handling capability  
D
D
G
G
G
S
TO-263AB  
FDB Series  
TO-220  
FDP Series  
D
S
S
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
VDSS  
Drain-Source Voltage  
30  
V
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
V
A
±20  
Drain Current – Continuous  
62  
– Pulsed  
(Note 1)  
150  
PD  
W
W/°C  
°C  
Total Power Dissipation @ TC = 25°C  
62.5  
Derate above 25°C  
0.5  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
1/8” from case for 5 seconds  
°C  
275  
Thermal Characteristics  
RθJC  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
2.1  
°C/W  
°C/W  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
62.5  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
FDB6670AS  
FDB6670AS  
FDP6670AS  
FDP6670AS  
Device  
Reel Size  
Tape width  
24mm  
24mm  
n/a  
Quantity  
FDB6670AS  
13’’  
800 units  
800 units  
45  
FDB6670AS_NL (Note 3)  
FDP6670AS  
13’’  
Tube  
Tube  
FDP6670AS_NL (Note 4)  
n/a  
45  
FDP6670AS/FDB6670AS Rev A(X)  
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
123456

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