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FDB6670SL86Z

更新时间： 2024-01-26 16:53:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 93K
描述
Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 30V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3

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FDB6670SL86Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.7雪崩能效等级（Eas）：285 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：62 A
最大漏源导通电阻：0.0085 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：150 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDB6670SL86Z 数据手册

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September 2001  
FDP6670S/FDB6670S  
30V N-Channel PowerTrenchÒ SyncFET™  
General Description  
Features  
This MOSFET is designed to replace a single MOSFET  
and parallel Schottky diode in synchronous DC:DC  
power supplies. This 30V MOSFET is designed to  
maximize power conversion efficiency, providing a low  
RDS(ON) and low gate charge. The FDP6670S includes  
an integrated Schottky diode using Fairchild’s  
monolithic SyncFET technology. The performance of  
the FDP6670S/FDB6670S as the low-side switch in a  
synchronous rectifier is indistinguishable from the  
performance of the FDP6670A/FDB6670A in parallel  
with a Schottky diode.  
·
31 A, 30 V.  
RDS(ON) = 8.5 mW @ VGS = 10 V  
RDS(ON) = 12.5 mW @ VGS = 4.5 V  
·
·
·
Includes SyncFET Schottky body diode  
Low gate charge (23nC typical)  
High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON) and fast switching  
·
High power and current handling capability  
D
D
G
G
G
S
TO-263AB  
FDB Series  
TO-220  
FDP Series  
D
S
S
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
VDSS  
Drain-Source Voltage  
30  
V
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
V
A
±20  
62  
Drain Current – Continuous  
(Note 1)  
(Note 1)  
– Pulsed  
150  
PD  
W
W/°C  
°C  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
62.5  
0.5  
C
Derate above 25°C  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
1/8” from case for 5 seconds  
°C  
275  
Thermal Characteristics  
RqJC  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
2.1  
°C/W  
°C/W  
RqJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
62.5  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
FDB6670S  
FDB6670S  
13’’  
24mm  
800 units  
45  
FDP6670S  
FDP6670S  
Tube  
n/a  
FDP6670S/FDB6670S Rev E(W)  
Ó 2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDB6670SL99Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 30V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDB6670SS62Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 30V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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