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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDB6035L
FDB6035L PDF预览

FDB6035L

更新时间： 2024-02-06 17:18:49
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 416K
描述
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

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FDB6035L 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.28其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：150 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：58 A最大漏极电流 (ID)：58 A
最大漏源导通电阻：0.011 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：175 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDB6035L 数据手册

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April 1998  
FDP6035L/FDB6035L  
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
58 A, 30 V. RDS(ON) = 0.011 W @ VGS=10 V  
These N-Channel logic level enhancement mode power  
field effect transistors are produced using Fairchild's  
proprietary, high cell density, DMOS technology. This very  
high density process is especially tailored to minimize  
on-state resistance. These devices are particularly suited  
for low voltage applications such as DC/DC converters and  
high efficiency switching circuits where fast switching, low  
in-line power loss, and resistance to transients are needed.  
RDS(ON) = 0.019 W @ VGS=4.5 V.  
Low gate charge (typical 34 nC).  
Low Crss (typical 175 pF).  
Fast switching speed.  
________________________________________________________________________________  
D
G
S
Absolute Maximum Ratings TC = 25°C unless otherwise noted  
Symbol Parameter  
FDP6035L  
FDB6035L  
Units  
Drain-Source Voltage  
30  
V
VDSS  
Gate-Source Voltage  
±20  
58  
V
A
VGSS  
ID  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
175  
75  
W
W/°C  
°C  
PD  
Maximum Power Dissipation @ TC = 25°C  
Derate above 25°C  
0.5  
TJ,TSTG  
Operating and Storage Temperature Range  
-65 to 175  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
2
°C/W  
°C/W  
RqJC  
RqJA  
62.5  
© 1998 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDP6035L Rev.B  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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