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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.32 | 雪崩能效等级（Eas）： | 150 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 58 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.011 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 175 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDB603AL | FAIRCHILD |
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N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| FDB603ALL99Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 30V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FDB604 | DEC |
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6 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |
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| FDB606 | DEC |
获取价格 |
6 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |
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| FDB608 | DEC |
获取价格 |
6 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |
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| FDB610 | DEC |
获取价格 |
6 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |
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| FDB6644 | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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| FDB6644L86Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FDB6644L99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FDB6644S | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 55A I(D) | TO-263AB |
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