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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.82 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 100 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 33 A | 最大漏源导通电阻： | 0.022 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 100 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDB604 | DEC |
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6 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |
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| FDB606 | DEC |
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6 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |
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| FDB608 | DEC |
获取价格 |
6 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |
|
| FDB610 | DEC |
获取价格 |
6 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |
|
| FDB6644 | FAIRCHILD |
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30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
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| FDB6644L86Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| FDB6644L99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FDB6644S | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 55A I(D) | TO-263AB |
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| FDB6644S62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FDB6644SL86Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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