FDB603AL

更新时间： 2024-01-08 10:14:26

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
4页	417K
描述
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

FDB603AL 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.82	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：	100 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	33 A	最大漏极电流 (ID)：	33 A
最大漏源导通电阻：	0.022 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	50 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	100 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDB603AL 数据手册

April 1998

FDP603AL / FDB603AL

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

These N-Channel logic level enhancement mode power field

effect transistors are produced using Fairchild's proprietary,

high cell density, DMOS technology. This very high density

process is especially tailored to minimize on-state

resistance. These devices are particularly suited for low

voltage applications such as DC/DC converters and high

efficiency switching circuits where fast switching, low in-line

power loss, and resistance to transients are needed.

33 A, 30 V. R_DS(ON)= 0.022 W @ V_GS=10 V

R_DS(ON)= 0.036 W @ V_GS=4.5 V.

Critical DC electrical parameters specified at elevated

temperature.

Rugged internal source-drain diode can eliminate the need

for an external Zener diode transient suppressor.

High density cell design for extremely low R_DS(ON)

175°C maximum junction temperature rating.

_________________________________________________________________________________

Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C unless otherwise noted

Symbol Parameter

FDP603AL

FDB603AL

Units

Drain-Source Voltage

V_DSS

V_GSS

I_D

Gate-Source Voltage - Continuous

Drain Current - Continuous

- Pulsed

±20

(Note 1)

100

W/°C

°C

P_D

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

Derate above 25°C

0.33

-65 to 175

275

Operating and Storage Temperature Range

T_J,T_STG

T_L

Maximum lead temperature for soldering purposes,

1/8" from case for 5 seconds

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

Thermal Resistance, Junction-to-Case

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

°C/W

R_q_JC

62.5

FDP603AL Rev.D

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与FDB603AL相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDB603ALL99Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 30V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FDB604	DEC	获取价格	6 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS
FDB606	DEC	获取价格	6 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS
FDB608	DEC	获取价格	6 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS
FDB610	DEC	获取价格	6 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS
FDB6644	FAIRCHILD	获取价格	30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDB6644L86Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDB6644L99Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDB6644S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 55A I(D) \| TO-263AB
FDB6644S62Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

与FDB603AL相关文章

74LS298PC手册解读：参数说明、引脚说明、替代型号推荐
2024-07-01

0
L6234手册解读：引脚信息、电气参数
2024-07-01

1
解读BSP135H6327资料：电气参数及替换型号推荐
2024-07-01

1
FDG6302P资料解析：电气参数、产品特性
2024-07-01

3

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

FDB603AL

FDB603AL 技术参数

FDB603AL 数据手册

与FDB603AL相关器件

与FDB603AL相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

FDB603AL

FDB603AL 技术参数

FDB603AL 数据手册

与FDB603AL相关器件

与FDB603AL相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？