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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> ISL9R1560S3ST_NL
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ISL9R1560S3ST_NL

更新时间： 2024-11-25 13:08:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 二极管
页数 文件大小 规格书
6页 163K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15A, 600V V(RRM), Silicon, TO-263AB,

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ISL9R1560S3ST_NL 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PSSO-G2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.52Is Samacsys：N
其他特性：FREEWHEELING DIODE, SNUBBER DIODE应用：FAST SOFT RECOVERY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流：200 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最大输出电流：15 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：600 V最大反向恢复时间：0.04 µs
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

ISL9R1560S3ST_NL 数据手册

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November 2002  
ISL9R1560G2, ISL9R1560P2, ISL9R1560S2, ISL9R1560S3S  
15A, 600V Stealth™ Diode  
General Description  
Features  
•
•
•
•
•
Soft Recovery . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .t / t > 1.2  
b a  
The ISL9R1560G2, ISL9R1560P2, ISL9R1560S2 and  
ISL9R1560S3S are Stealth™ diodes optimized for low loss  
performance in high frequency hard switched applications. The  
Stealth™ family exhibits low reverse recovery current  
Fast Recovery . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . t < 30ns  
rr  
o
Operating Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175 C  
Reverse Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V  
Avalanche Energy Rated  
(I  
) and exceptionally soft recovery under typical  
RM(REC)  
operating conditions.  
This device is intended for use as a free wheeling or boost  
diode in power supplies and other power switching  
Applications  
•
•
•
•
•
•
Switch Mode Power Supplies  
Hard Switched PFC Boost Diode  
UPS Free Wheeling Diode  
Motor Drive FWD  
applications. The low I  
and short t phase reduce loss  
a
RM(REC)  
in switching transistors. The soft recovery minimizes ringing,  
expanding the range of conditions under which the diode may  
be operated without the use of additional snubber circuitry.  
Consider using the Stealth™ diode with an SMPS IGBT to  
provide the most efficient and highest power density design at  
lower cost.  
SMPS FWD  
Snubber Diode  
Formerly developmental type TA49410.  
Package  
Symbol  
JEDEC TO-220AC  
JEDEC STYLE TO-247  
ANODE  
K
CATHODE  
CATHODE  
(FLANGE)  
ANODE  
CATHODE  
CATHODE  
(BOTTOM SIDE  
METAL)  
A
JEDEC STYLE TO-262  
JEDEC TO-263AB  
ANODE  
CATHODE  
(FLANGE)  
CATHODE  
CATHODE  
(FLANGE)  
N/C  
ANODE  
Device Maximum Ratings T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Ratings  
600  
600  
600  
15  
Units  
V
V
Repetitive Peak Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
RRM  
RWM  
V
V
V
V
R
o
I
Average Rectified Forward Current (T = 145 C)  
A
F(AV)  
C
I
Repetitive Peak Surge Current (20kHz Square Wave)  
30  
A
FRM  
I
Nonrepetitive Peak Surge Current (Halfwave 1 Phase 60Hz)  
200  
A
FSM  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
ISL9R1560G2, ISL9R1560P2, ISL9R1560S2, ISL9R1560S3S Rev. C1  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
ISL9R18120G2 FAIRCHILD

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 		18A, 1200V Stealth⑩ Diode
ISL9R18120G2 ONSEMI

获取价格

 		18 A、1200 V STEALTH™ 二极管
ISL9R18120G2_NL FAIRCHILD

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 		暂无描述
ISL9R18120P2 FAIRCHILD

获取价格

 		18A, 1200V Stealth⑩ Diode
ISL9R18120S3S FAIRCHILD

获取价格

 		18A, 1200V Stealth⑩ Diode
ISL9R18120S3ST FAIRCHILD

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 18A, 1200V V(RRM), Silicon, TO-263AB, LEAD FREE, D2PA
ISL9R18120S3ST ONSEMI

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 		18A，1200V，STEALTH™ 肖特基二极管
ISL9R2480G2 ROCHESTER

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 		24 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247
ISL9R2480G2 FAIRCHILD

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 		24A, 800V Stealth⑩ Diode
ISL9R30120G2 FAIRCHILD

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 		30A, 1200V Stealth⑩ Diode

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