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IS65C256AL-45UA3

更新时间： 2024-11-30 04:22:59
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI /
页数 文件大小 规格书
12页 92K
描述
32K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM

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IS65C256AL-45UA3 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：0.330 INCH, PLASTIC, SOP-28针数：28
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.67
最长访问时间：45 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G28JESD-609代码：e0
长度：18.11 mm内存密度：262144 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：28字数：32768 words
字数代码：32000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
组织：32KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP28,.45封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
认证状态：Not Qualified筛选级别：AEC-Q100
座面最大高度：2.84 mm最大待机电流：0.00005 A
最小待机电流：2 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.03 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：8.405 mmBase Number Matches：1

IS65C256AL-45UA3 数据手册

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®
IS65C256AL  
IS62C256AL  
ISSI  
32K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM  
MARCH 2006  
FEATURES  
DESCRIPTION  
The ISSI IS62C256AL/IS65C256AL is a low power,  
32,768 word by 8-bit CMOS static RAM. It is fabricated  
using ISSI's high-performance, low power CMOS tech-  
nology.  
• Access time: 25 ns, 45 ns  
• Low active power: 200 mW (typical)  
• Low standby power  
— 150 µW (typical) CMOS standby  
— 15 mW (typical) operating  
When CE is HIGH (deselected), the device assumes a  
standby mode at which the power dissipation can be  
reduced down to 150 µW (typical) at CMOS input levels.  
• Fully static operation: no clock or refresh  
required  
Easy memory expansion is provided by using an active  
LOW Chip Select (CE) input and an active LOW Output  
Enable (OE) input. The active LOW Write Enable (WE)  
controls both writing and reading of the memory.  
• TTL compatible inputs and outputs  
• Single 5V power supply  
• Lead-free available  
• Industrial and Automotive temperatures avail-  
able  
The IS62C256AL/IS65C256AL is pin compatible with  
other 32Kx8 SRAMs in plastic SOP or TSOP (Type I)  
package.  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
32K X 8  
MEMORY ARRAY  
A0-A14  
DECODER  
VDD  
GND  
I/O  
DATA  
COLUMN I/O  
I/O0-I/O7  
CIRCUIT  
CE  
CONTROL  
CIRCUIT  
OE  
WE  
Copyright © 2006 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any time without notice. ISSI assumes no liability  
arisingoutoftheapplicationoruseofanyinformation, productsorservicesdescribedherein. Customersareadvisedtoobtainthelatestversionofthisdevicespecificationbeforerelyingonany  
publishedinformationandbeforeplacingordersforproducts.  
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774  
1
Rev. A  
03/17/06  
1234567...12

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