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IS65C51216AL-55CTLA3

更新时间： 2024-11-30 05:39:35

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
15页	438K
描述
512K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

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IS65C51216AL-55CTLA3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	SOP, TSOP44,.46,32	针数：	44
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.78
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	55 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
JESD-609代码：	e3	长度：	18.415 mm
内存密度：	8388608 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	44
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	512KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	TSOP44,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	AEC-Q100	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.00018 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

IS65C51216AL-55CTLA3 数据手册

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andꢀOutputꢀEnableꢀinputs.

TheꢀactiveꢀLOWWriteꢀEnableꢀ(WE)

IS62C51216AL

IS65C51216AL

512K x 16 LOW VOLTAGE,

ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

APRIL 2009

FEATURES

DESCRIPTION

TheꢀISSIꢀIS62C51216ALꢀandꢀIS65C51216ALꢀareꢀꢀhigh-

speed,ꢀ8MꢀbitꢀstaticꢀRAMsꢀorganizedꢀasꢀ512Kꢀwordsꢀbyꢀ16ꢀ

bits. It is fabricated using ISSI'sꢀhigh-performanceꢀCMOSꢀ

technology.ꢀ Thisꢀ highlyꢀ reliableꢀ processꢀ coupledꢀ withꢀ

innovativeꢀcircuitꢀdesignꢀtechniques,ꢀyieldsꢀhigh-performanceꢀ

and low power consumption devices.

•ꢀ High-speedꢀaccessꢀtime:ꢀ45ns,ꢀ55ns

•ꢀ CMOSꢀlowꢀpowerꢀoperation

– 36 mW (typical) operating

ꢀ –ꢀ12ꢀµWꢀ(typical)ꢀCMOSꢀstandby

•ꢀ TTLꢀcompatibleꢀinterfaceꢀlevels

•ꢀ Singleꢀpowerꢀsupplyꢀꢀ

When CS1ꢀ isꢀ HIGHꢀ (deselected)ꢀ orꢀ whenꢀ CS2ꢀ isꢀ LOW

(deselected) or when CS1 is LOW, CS2 is HIGH and both

LB and UBꢀareꢀHIGH,ꢀtheꢀdeviceꢀassumesꢀaꢀstandbyꢀmodeꢀ

at which the power dissipation can be reduced down with

CMOSꢀinputꢀlevels.

ꢀ –ꢀ4.5V--5.5VꢀV^{d d}

•ꢀ Fullyꢀstaticꢀoperation:ꢀnoꢀclockꢀorꢀrefresh

Easy memory expansion is provided by using Chip Enable

required

•ꢀ Threeꢀstateꢀoutputs

controls both writing and reading of the memory.A data byte

allows Upper Byte (UB)ꢀandꢀLowerꢀByteꢀ(LB) access.

•ꢀ Dataꢀcontrolꢀforꢀupperꢀandꢀlowerꢀbytes

•ꢀ Automotiveꢀtemperatureꢀ(-40^oC to +125^oC)

•ꢀ Lead-freeꢀavailable

TheꢀIS62C51216ALꢀandꢀIS65C51216ALꢀareꢀpackagedꢀinꢀ

theꢀJEDECꢀstandardꢀ48-pinꢀminiꢀBGAꢀ(9mmꢀxꢀ11mm)ꢀandꢀ

44-PinꢀTSOPꢀ(TYPEꢀII).

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

512K x 16

MEMORY ARRAY

A0-A18

DECODER

GND

I/O0-I/O7

Lower Byte

I/O

DATA

COLUMN I/O

CIRCUIT

I/O8-I/O15

Upper Byte

CS2

CS1

CONTROL

CIRCUIT

liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain the latest version of this device speciﬁcation before relying on

any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774

Rev. A

03/18/09

12 3 4 5 6 7...15

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS65C51216AL-55MLA3	ISSI	获取价格	512K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
IS65C6416AL	ISSI	获取价格	64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS65C6416AL-45KA3	ISSI	获取价格	64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS65C6416AL-45TA3	ISSI	获取价格	64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS65LV256AL	ISSI	获取价格	32K x 8 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM
IS65LV256AL_12	ISSI	获取价格	32K x 8 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM
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IS65LV256AL-45TLA3	ISSI	获取价格	32K x 8 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM
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