是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | SOP, SOP28,.45 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.69 |
最长访问时间: | 45 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G28 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 18.11 mm | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 32KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装等效代码: | SOP28,.45 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | AEC-Q100 |
座面最大高度: | 2.84 mm | 最大待机电流: | 0.00005 A |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.03 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | AUTOMOTIVE | 端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
宽度: | 8.405 mm |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IS65C51216AL | ISSI |
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512K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM | |
IS65C51216AL-55CTLA3 | ISSI |
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512K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM | |
IS65C51216AL-55MLA3 | ISSI |
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512K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM | |
IS65C6416AL | ISSI |
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64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM | |
IS65C6416AL-45KA3 | ISSI |
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64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM | |
IS65C6416AL-45TA3 | ISSI |
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64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM | |
IS65LV256AL | ISSI |
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32K x 8 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM | |
IS65LV256AL_12 | ISSI |
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32K x 8 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM | |
IS65LV256AL-45TA3 | ISSI |
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32K x 8 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM | |
IS65LV256AL-45TLA3 | ISSI |
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32K x 8 LOW VOLTAGE CMOS STATIC RAM |