Datasheet > 存储 > SRAM> IS65C6416AL-45KA3

IS65C6416AL-45KA3

更新时间： 2024-11-29 21:54:15

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美国芯成 - ISSI		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
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17页	92K
描述
64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

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IS65C6416AL-45KA3 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOJ
包装说明：	SOJ, SOJ44,.44	针数：	44
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.85
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	45 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-J44
JESD-609代码：	e0	长度：	28.575 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	44
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	64KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOJ	封装等效代码：	SOJ44,.44
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	AEC-Q100	座面最大高度：	3.75 mm
最大待机电流：	0.000125 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.045 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

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IS61C6416AL IS64C6416AL

IS62C6416AL IS65C6416AL

ISSI

64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

JANUARY2005

FEATURES

DESCRIPTION

The ISSIIS61C6416AL, IS62C6416AL, IS64C6416AL and

IS65C6416AL are high-speed, 1,048,576-bit static RAMs

organized as 65,536 words by 16 bits. They are fabricated

usingISSI'shigh-performanceCMOStechnology.Thishighly

reliable process coupled with innovative circuit design tech-

niques, yields access times as fast as 12 ns with low power

consumption.

IS61C6416AL and IS64C6416AL

• High-speed access time: 12 ns, 15ns

• Low Active Power: 175 mW (typical)

• Low Standby Power: 1 mW (typical)

CMOS standby

IS62C6416AL and IS65C6416AL

When CE is HIGH (deselected), the device assumes a

standbymodeatwhichthepowerdissipationcanbereduced

down with CMOS input levels.

• High-speed access time: 35 ns, 45ns

• Low Active Power: 50 mW (typical)

• Low Standby Power: 100 µW (typical)

CMOS standby

Easy memory expansion is provided by using Chip Enable

andOutputEnableinputs,CEandOE.TheactiveLOWWrite

Enable(WE)controlsbothwritingandreadingofthememory.

A data byte allows Upper Byte (UB) and Lower Byte (LB)

access.

• TTL compatible interface levels

• Single 5V ± 10% power supply

• Fully static operation: no clock or refresh

required

The IS61C6416AL, IS62C6416AL, IS64C6416AL and

IS65C6416AL are packaged in the JEDEC standard 44-pin

400-mil SOJ and 44-pin TSOP (Type II).

• Available in 44-pin SOJ package and

44-pin TSOP (Type II)

• Commercial, Industrial and Automotive tempera-

ture ranges available

• Lead-free available

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

64K x 16

MEMORY ARRAY

A0-A15

DECODER

VDD

GND

I/O0-I/O7

Lower Byte

I/O

DATA

COLUMN I/O

CIRCUIT

I/O8-I/O15

Upper Byte

CONTROL

CIRCUIT

Copyright © 2005 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any time without notice. ISSI assumes no liability

arisingoutoftheapplicationoruseofanyinformation, productsorservicesdescribedherein. Customersareadvisedtoobtainthelatestversionofthisdevicespecificationbeforerelyingonany

publishedinformationandbeforeplacingordersforproducts.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774

Rev. A

01/17/05

12 3 4 5 6 7...17

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