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IS65WV12816ALL-70B2A2

更新时间： 2024-11-30 14:34:03

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
19页	103K
描述
Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, MINI, BGA-48

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IS65WV12816ALL-70B2A2 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA, BGA48,6X8,30	针数：	48
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.77
最长访问时间：	70 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B48	JESD-609代码：	e0
长度：	8 mm	内存密度：	2097152 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	105 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA48,6X8,30	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	1.8/2 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	AEC-Q100
座面最大高度：	1.2 mm	最小待机电流：	1.2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.2 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.65 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	6 mm
Base Number Matches：	1

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IS65WV12816ALL

IS65WV12816BLL

ISSI

PRELIMINARYINFORMATION

FEBRUARY2003

128K x 16 LOW VOLTAGE,

ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

FEATURES

Option A2: –40 to +105^oC

Option A3: –40 to +125^oC

• High-speed access time: 55ns, 70ns

• CMOS low power operation:

36 mW (typical) operating

DESCRIPTION

9 µW (typical) CMOS standby

• TTL compatible interface levels

• Single power supply:

TheISSIIS65WV12816ALL/IS65WV12816BLLare high-

speed, 2M bit static RAMs organized as 128K words by 16

bits. It is fabricated using ISSI's high-performance CMOS

technology. This highly reliable process coupled with

innovative circuit design techniques, yields high-

performance and low power consumption devices.

1.65V to 2.2V V^DD(65WV12816ALL)

2.5V to 3.6V V^DD(65WV12816BLL)

When CS1 is HIGH (deselected) or when CS2 is LOW

(deselected) or when CS1 is LOW, CS2 is HIGH and both

LBandUBareHIGH, thedeviceassumesastandbymode

at which the power dissipation can be reduced down with

CMOS input levels.

• Fully static operation: no clock or refresh

required

• Three state outputs

Easy memory expansion is provided by using Chip Enable

and Output Enable inputs. The active LOW Write Enable

(WE) controls both writing and reading of the memory. A

data byte allows Upper Byte (UB) and Lower Byte (LB)

access.

• Data control for upper and lower bytes

• 2CS Option Available

• Temperature Offerings:

Option A: 0 to 70^oC

TheIS65WV12816ALLandIS65WV12816BLLarepackged

intheJEDECstandard48-pinminiBGA(6mmx8mm)and

44-Pin TSOP (TYPE II).

Option A1: –40 to +85^oC

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

128K x 16

MEMORY ARRAY

A0-A16

DECODER

GND

I/O0-I/O7

Lower Byte

I/O

DATA

CIRCUIT

COLUMN I/O

I/O8-I/O15

Upper Byte

CS2

CS1

CONTROL

CIRCUIT

Copyright © 2003 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any time without notice. ISSI assumes no liability

arisingoutoftheapplicationoruseofanyinformation, productsorservicesdescribedherein. Customersareadvisedtoobtainthelatestversionofthisdevicespecificationbeforerelyingonany

publishedinformationandbeforeplacingordersforproducts.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774

Rev. 00D

02/05/03

12 3 4 5 6 7...19

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