是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | TFBGA, BGA48,6X8,30 | 针数: | 48 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.2 |
最长访问时间: | 55 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B48 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 8 mm | 内存密度: | 2097152 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 16 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 48 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 128KX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TFBGA |
封装等效代码: | BGA48,6X8,30 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 2.5/3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | AEC-Q100 |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最大待机电流: | 0.000065 A |
最小待机电流: | 1.2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.03 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | AUTOMOTIVE | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.75 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 6 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
IS65WV12816BLL-55TA | ISSI | 128KX16 STANDARD SRAM, 55ns, PDSO44, PLASTIC, TSOP2-44 |
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IS65WV12816BLL-55TA1 | ISSI | 128KX16 STANDARD SRAM, 55ns, PDSO44, PLASTIC, TSOP2-44 |
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IS65WV12816BLL-55TA2 | ISSI | 128KX16 STANDARD SRAM, 55ns, PDSO44, PLASTIC, TSOP2-44 |
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IS65WV12816BLL-55TA3 | ISSI | 128KX16 STANDARD SRAM, 55ns, PDSO44, PLASTIC, TSOP2-44 |
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IS65WV12816BLL-55TLA3 | ISSI | Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-44 |
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IS65WV12816BLL-55TLA3-TR | ISSI | Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, LEAD FREE, TSOP2-44 |
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