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IS65C6416AL-45TA3

更新时间： 2024-11-29 21:54:15

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美国芯成 - ISSI		/
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17页	92K
描述
64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

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IS65C6416AL-45TA3 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	PLASTIC, TSOP2-44	针数：	44
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.87
最长访问时间：	45 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G44	JESD-609代码：	e0
长度：	18.415 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	44	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	64KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP44,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	AEC-Q100
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.000125 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.045 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm

IS65C6416AL-45TA3 数据手册

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IS61C6416AL IS64C6416AL

IS62C6416AL IS65C6416AL

ISSI

64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

JANUARY2005

FEATURES

DESCRIPTION

The ISSIIS61C6416AL, IS62C6416AL, IS64C6416AL and

IS65C6416AL are high-speed, 1,048,576-bit static RAMs

organized as 65,536 words by 16 bits. They are fabricated

usingISSI'shigh-performanceCMOStechnology.Thishighly

reliable process coupled with innovative circuit design tech-

niques, yields access times as fast as 12 ns with low power

consumption.

IS61C6416AL and IS64C6416AL

• High-speed access time: 12 ns, 15ns

• Low Active Power: 175 mW (typical)

• Low Standby Power: 1 mW (typical)

CMOS standby

IS62C6416AL and IS65C6416AL

When CE is HIGH (deselected), the device assumes a

standbymodeatwhichthepowerdissipationcanbereduced

down with CMOS input levels.

• High-speed access time: 35 ns, 45ns

• Low Active Power: 50 mW (typical)

• Low Standby Power: 100 µW (typical)

CMOS standby

Easy memory expansion is provided by using Chip Enable

andOutputEnableinputs,CEandOE.TheactiveLOWWrite

Enable(WE)controlsbothwritingandreadingofthememory.

A data byte allows Upper Byte (UB) and Lower Byte (LB)

access.

• TTL compatible interface levels

• Single 5V ± 10% power supply

• Fully static operation: no clock or refresh

required

The IS61C6416AL, IS62C6416AL, IS64C6416AL and

IS65C6416AL are packaged in the JEDEC standard 44-pin

400-mil SOJ and 44-pin TSOP (Type II).

• Available in 44-pin SOJ package and

44-pin TSOP (Type II)

• Commercial, Industrial and Automotive tempera-

ture ranges available

• Lead-free available

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

64K x 16

MEMORY ARRAY

A0-A15

DECODER

VDD

GND

I/O0-I/O7

Lower Byte

I/O

DATA

COLUMN I/O

CIRCUIT

I/O8-I/O15

Upper Byte

CONTROL

CIRCUIT

Copyright © 2005 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any time without notice. ISSI assumes no liability

arisingoutoftheapplicationoruseofanyinformation, productsorservicesdescribedherein. Customersareadvisedtoobtainthelatestversionofthisdevicespecificationbeforerelyingonany

publishedinformationandbeforeplacingordersforproducts.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774

Rev. A

01/17/05

12 3 4 5 6 7...17

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