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IS61C64AL-10JLI-TR

更新时间： 2024-10-28 21:16:23

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
13页	105K
描述
Standard SRAM, 8KX8, 10ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOJ-28

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IS61C64AL-10JLI-TR 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOJ
包装说明：	SOJ,	针数：	28
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	Factory Lead Time：	6 weeks
风险等级：	5.49	最长访问时间：	10 ns
JESD-30 代码：	R-PDSO-J28	JESD-609代码：	e3
长度：	18.415 mm	内存密度：	65536 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	8KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOJ	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	3.56 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

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IS61C64AL

ISSI

OCTOBER2006

8K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

FEATURES

DESCRIPTION

The ISSI IS61C64AL is a very high-speed, low power,

8192-word by 8-bit static RAM. It is fabricated using ISSI's

high-performance CMOS technology. This highly reliable

processcoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,

yields access times as fast as 10 ns with low power

consumption.

• High-speed access time: 10 ns

• CMOS low power operation

— 1 mW (typical) CMOS standby

— 125 mW (typical) operating

• TTL compatible interface levels

• Single 5V power supply

When CE is HIGH (deselected), the device assumes a

standby mode at which the power dissipation can be

reduced down to 150 µW (typical) with CMOS input levels.

• Fully static operation: no clock or refresh

required

• Lead-free available

Easy memory expansion is provided by using one Chip

Enable input, CE. The active LOW Write Enable (WE)

controls both writing and reading of the memory.

The IS61C64AL is packaged in the JEDEC standard 28-

pin, 300-mil SOJ, and TSOP.

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

8K x 8

MEMORY ARRAY

A0-A12

DECODER

VDD

GND

I/O

DATA

COLUMN I/O

I/O0-I/O7

CIRCUIT

CONTROL

CIRCUIT

Copyright © 2006 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any time without notice. ISSI assumes no liability

arisingoutoftheapplicationoruseofanyinformation, productsorservicesdescribedherein. Customersareadvisedtoobtainthelatestversionofthisdevicespecificationbeforerelyingonany

publishedinformationandbeforeplacingordersforproducts.

Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774

Rev. B

10/23/06

12 3 4 5 6 7...13

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IS61C64B	ISSI	获取价格	8K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS61C64B-10J	ISSI	获取价格	8K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS61C64B-10N	ETC	获取价格	x8 SRAM
IS61C64B-10T	ISSI	获取价格	8K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS61C64B-12J	ISSI	获取价格	8K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS61C64B-12N	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 12ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28
IS61C64B-12T	ISSI	获取价格	8K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
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