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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP28,.3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| HTS代码： | 8542.32.00.71 | 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 25 ns | JESD-30 代码： | R-PDIP-T28 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 65536 bit |
| 内存集成电路类型： | MEMORY CIRCUIT | 内存宽度： | 8 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 8192 words |
| 字数代码： | 8000 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 8KX8 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP28,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.004 A |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.17 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IS61C81-30J | ISSI | Memory Circuit, 8KX8, CMOS, PDSO28 |
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| IS61C81-30N | ISSI | Memory Circuit, 8KX8, CMOS, PDIP28 |
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| IS61C81-L20J | ISSI | Memory Circuit, 8KX8, CMOS, PDSO28 |
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| IS61C81-L20N | ISSI | Memory Circuit, 8KX8, CMOS, PDIP28 |
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| IS61C81-L25J | ISSI | Memory Circuit, 8KX8, CMOS, PDSO28 |
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| IS61C81-L25N | ISSI | Memory Circuit, 8KX8, CMOS, PDIP28 |
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