5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP24,.3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 25 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDIP-T24 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 30.099 mm |
| 内存密度： | 65536 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 4 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 24 | 字数： | 16384 words |
| 字数代码： | 16000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 16KX4 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP24,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 4.572 mm | 最大待机电流： | 0.0001 A |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.145 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IS61DDB21M18A | ISSI |
获取价格 |
Fixed 2-bit burst for read and write operations |
|
| IS61DDB21M18A-250M3I | ISSI |
获取价格 |
DDR SRAM, 1MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LFBGA-165 |
|
| IS61DDB21M18A-300B4L | ISSI |
获取价格 |
DDR SRAM, 1MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, LFBGA-165 |
|
| IS61DDB21M18A-300M3 | ISSI |
获取价格 |
DDR SRAM, 1MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LFBGA-165 |
|
| IS61DDB21M18A-300M3I | ISSI |
获取价格 |
DDR SRAM, 1MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LFBGA-165 |
|
| IS61DDB21M18A-300M3L | ISSI |
获取价格 |
DDR SRAM, 1MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, LFBGA-165 |
|
| IS61DDB21M18A-333M3LI | ISSI |
获取价格 |
DDR SRAM, 1MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, LFBGA-165 |
|
| IS61DDB21M36-250M3 | ISSI |
获取价格 |
36 Mb (1M x 36 & 2M x 18) DDR-II (Burst of 2) CIO Synchronous SRAMs |
|
| IS61DDB21M36-250M3L | ISSI |
获取价格 |
1MX36 DDR SRAM, 0.35ns, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-165 |
|
| IS61DDB21M36-250M3LI | ISSI |
获取价格 |
IC,SYNC SRAM,DDR,1MX36,CMOS,BGA,165PIN,PLASTIC, |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
