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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP24,.3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 20 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDIP-T24 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 65536 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 4 |
| 端子数量： | 24 | 字数： | 16384 words |
| 字数代码： | 16000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 16KX4 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP24,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.005 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.17 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IS61C88-25J | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 16KX4, 25ns, CMOS, PDSO24 |
|
| IS61C88-30N | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 16KX4, 30ns, CMOS, PDIP24 |
|
| IS61C88-L15J | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 16KX4, 15ns, CMOS, PDSO24 |
|
| IS61C88-L25N | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 16KX4, 25ns, CMOS, PDIP24 |
|
| IS61DDB21M18A | ISSI |
获取价格 |
Fixed 2-bit burst for read and write operations |
|
| IS61DDB21M18A-250M3I | ISSI |
获取价格 |
DDR SRAM, 1MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LFBGA-165 |
|
| IS61DDB21M18A-300B4L | ISSI |
获取价格 |
DDR SRAM, 1MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, LFBGA-165 |
|
| IS61DDB21M18A-300M3 | ISSI |
获取价格 |
DDR SRAM, 1MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LFBGA-165 |
|
| IS61DDB21M18A-300M3I | ISSI |
获取价格 |
DDR SRAM, 1MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LFBGA-165 |
|
| IS61DDB21M18A-300M3L | ISSI |
获取价格 |
DDR SRAM, 1MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, LFBGA-165 |
|
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