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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP20,.3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 15 ns |
| I/O 类型： | SEPARATE | JESD-30 代码： | R-PDIP-T20 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 25.527 mm |
| 内存密度： | 16384 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 20 | 字数： | 16384 words |
| 字数代码： | 16000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 16KX1 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP20,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 4.572 mm | 最大待机电流： | 0.0001 A |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.1 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IS61C67-L20N | ISSI |
获取价格 |
16K X 1 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM |
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| IS61C67-L25N | ISSI |
获取价格 |
16K X 1 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM |
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| IS61C81 | ETC |
获取价格 |
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| IS61C81-20N | ISSI |
获取价格 |
Memory Circuit, 8KX8, CMOS, PDIP28 |
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| IS61C81-25J | ISSI |
获取价格 |
Memory Circuit, 8KX8, CMOS, PDSO28 |
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| IS61C81-25N | ISSI |
获取价格 |
Memory Circuit, 8KX8, CMOS, PDIP28 |
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| IS61C81-30J | ISSI |
获取价格 |
Memory Circuit, 8KX8, CMOS, PDSO28 |
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| IS61C81-30N | ISSI |
获取价格 |
Memory Circuit, 8KX8, CMOS, PDIP28 |
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| IS61C81-L20J | ISSI |
获取价格 |
Memory Circuit, 8KX8, CMOS, PDSO28 |
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| IS61C81-L20N | ISSI |
获取价格 |
Memory Circuit, 8KX8, CMOS, PDIP28 |
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