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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP20,.3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 20 ns | I/O 类型： | SEPARATE |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T20 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 25.527 mm | 内存密度： | 16384 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 20 |
| 字数： | 16384 words | 字数代码： | 16000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 16KX1 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP20,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 4.572 mm |
| 最大待机电流： | 0.0001 A | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.085 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 7.62 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IS61C67-L25N | ISSI | 16K X 1 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM |
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| IS61C81 | ETC |
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| IS61C81-20N | ISSI | Memory Circuit, 8KX8, CMOS, PDIP28 |
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| IS61C81-25J | ISSI | Memory Circuit, 8KX8, CMOS, PDSO28 |
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| IS61C81-25N | ISSI | Memory Circuit, 8KX8, CMOS, PDIP28 |
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| IS61C81-30J | ISSI | Memory Circuit, 8KX8, CMOS, PDSO28 |
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