是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOJ |
包装说明: | 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.84 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 12 ns |
其他特性: | LOW POWER STANDBY MODE; AUTOMATIC POWER-DOWN | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-J28 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 18.415 mm | 内存密度: | 65536 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 8KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOJ |
封装等效代码: | SOJ28,.34 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 3.556 mm |
最大待机电流: | 0.01 A | 最小待机电流: | 4.5 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.175 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 7.62 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IS61C64B-12N | ISSI |
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Standard SRAM, 8KX8, 12ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28 | |
IS61C64B-12T | ISSI |
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8K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM | |
IS61C64B-15J | ISSI |
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8K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM | |
IS61C64B-15N | ISSI |
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Standard SRAM, 8KX8, 15ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28 | |
IS61C64B-15T | ISSI |
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8K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM | |
IS61C66-25N | ISSI |
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Standard SRAM, 16KX4, 25ns, CMOS, PDIP22, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-22 | |
IS61C67 | ISSI |
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16K X 1 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM | |
IS61C67-15N | ISSI |
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16K X 1 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM | |
IS61C67-20N | ISSI |
获取价格 |
16K X 1 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM | |
IS61C67-25N | ISSI |
获取价格 |
16K X 1 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM |