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IS61C64B-12J

更新时间： 2024-11-17 11:10:59

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美国芯成 - ISSI		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
9页	44K
描述
8K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

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IS61C64B-12J 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOJ
包装说明：	0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28	针数：	28
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	12 ns
其他特性：	LOW POWER STANDBY MODE; AUTOMATIC POWER-DOWN	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-J28	JESD-609代码：	e0
长度：	18.415 mm	内存密度：	65536 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	8KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装等效代码：	SOJ28,.34	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.556 mm
最大待机电流：	0.01 A	最小待机电流：	4.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.175 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

IS61C64B-12J 数据手册

IS61C64B

8K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

ISSI

July 2002

FEATURES

DESCRIPTION

The ISSI IS61C64B is a very high-speed, low power,

8192-wordby8-bitstaticRAM.ItisfabricatedusingISSI'shigh-

performance CMOS technology. This highly reliable process

coupled with innovative circuit design techniques, yields ac-

cess times as fast as 10 ns with low power consumption.

• High-speed access time: 10, 12, and 15 ns

• Automatic power-down when chip is

deselected

• CMOS low power operation

— 450 mW (typical) operating

— 250 µW (typical) standby

• TTL compatible interface levels

• Single 5V power supply

WhenCEisHIGH(deselected),thedeviceassumesastandby

mode at which the power dissipation can be reduced down to

250 µW (typical) with CMOS input levels.

EasymemoryexpansionisprovidedbyusingoneChipEnable

input, CE. The active LOW Write Enable (WE) controls both

writing and reading of the memory.

• Fully static operation: no clock or refresh

required

• Three state outputs

The IS61C64B is packaged in the JEDEC standard 28-pin,

300-mil SOJ, and TSOP.

• One Chip Enables (CE) for increased speed

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

256 X 256

MEMORY ARRAY

A0-A12

DECODER

VCC

GND

I/O

DATA

COLUMN I/O

I/O0-I/O7

CIRCUIT

CONTROL

CIRCUIT

assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain the latest version of this device

specification before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774

Rev. D

07/01/02

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS61C64B-12N	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 12ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28
IS61C64B-12T	ISSI	获取价格	8K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS61C64B-15J	ISSI	获取价格	8K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS61C64B-15N	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 8KX8, 15ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28
IS61C64B-15T	ISSI	获取价格	8K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS61C66-25N	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 16KX4, 25ns, CMOS, PDIP22, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-22
IS61C67	ISSI	获取价格	16K X 1 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM
IS61C67-15N	ISSI	获取价格	16K X 1 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM
IS61C67-20N	ISSI	获取价格	16K X 1 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM
IS61C67-25N	ISSI	获取价格	16K X 1 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM

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