Datasheet > 存储 > SRAM> IS61C64B-15T

IS61C64B-15T

更新时间： 2024-10-28 11:10:59

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
9页	44K
描述
8K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IS61C64B-15T 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	PLASTIC, TSOP1-28	针数：	28
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
最长访问时间：	15 ns	其他特性：	LOW POWER STANDBY MODE; AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G28
JESD-609代码：	e0	长度：	11.8 mm
内存密度：	65536 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	8192 words	字数代码：	8000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	8KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装等效代码：	TSSOP28,.53,22
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.01 A
最小待机电流：	4.5 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.135 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.55 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

IS61C64B-15T 数据手册

IS61C64B

8K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

ISSI

July 2002

FEATURES

DESCRIPTION

The ISSI IS61C64B is a very high-speed, low power,

8192-wordby8-bitstaticRAM.ItisfabricatedusingISSI'shigh-

performance CMOS technology. This highly reliable process

coupled with innovative circuit design techniques, yields ac-

cess times as fast as 10 ns with low power consumption.

• High-speed access time: 10, 12, and 15 ns

• Automatic power-down when chip is

deselected

• CMOS low power operation

— 450 mW (typical) operating

— 250 µW (typical) standby

• TTL compatible interface levels

• Single 5V power supply

WhenCEisHIGH(deselected),thedeviceassumesastandby

mode at which the power dissipation can be reduced down to

250 µW (typical) with CMOS input levels.

EasymemoryexpansionisprovidedbyusingoneChipEnable

input, CE. The active LOW Write Enable (WE) controls both

writing and reading of the memory.

• Fully static operation: no clock or refresh

required

• Three state outputs

The IS61C64B is packaged in the JEDEC standard 28-pin,

300-mil SOJ, and TSOP.

• One Chip Enables (CE) for increased speed

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

256 X 256

MEMORY ARRAY

A0-A12

DECODER

VCC

GND

I/O

DATA

COLUMN I/O

I/O0-I/O7

CIRCUIT

CONTROL

CIRCUIT

assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain the latest version of this device

specification before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774

Rev. D

07/01/02

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

与IS61C64B-15T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS61C66-25N	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 16KX4, 25ns, CMOS, PDIP22, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-22
IS61C67	ISSI	获取价格	16K X 1 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM
IS61C67-15N	ISSI	获取价格	16K X 1 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM
IS61C67-20N	ISSI	获取价格	16K X 1 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM
IS61C67-25N	ISSI	获取价格	16K X 1 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM
IS61C67-L15N	ISSI	获取价格	16K X 1 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM
IS61C67-L20N	ISSI	获取价格	16K X 1 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM
IS61C67-L25N	ISSI	获取价格	16K X 1 HIGH SPEED CMOS STATIC RAM
IS61C81	ETC	获取价格
IS61C81-20N	ISSI	获取价格	Memory Circuit, 8KX8, CMOS, PDIP28

与IS61C64B-15T相关文章

三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

12
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

13
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

39
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

46

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IS61C64B-15T

IS61C64B-15T 技术参数

IS61C64B-15T 数据手册

与IS61C64B-15T相关器件

与IS61C64B-15T相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IS61C64B-15T

IS61C64B-15T 技术参数

IS61C64B-15T 数据手册

与IS61C64B-15T相关器件

与IS61C64B-15T相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？