是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOJ |
包装说明: | SOJ, | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.66 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 25 ns |
其他特性: | AUTOMATIC POWER-DOWN | JESD-30 代码: | R-PDSO-J28 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 18.161 mm |
内存密度: | 65536 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 8KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOJ | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 3.556 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 7.59 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IS61C64AH-25N | ETC |
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x8 SRAM | |
IS61C64AH-25NI | ISSI |
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Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28 | |
IS61C64AH-25U | ICSI |
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8K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM | |
IS61C64AL | ISSI |
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8K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM | |
IS61C64AL_0610 | ISSI |
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8K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM | |
IS61C64AL-10JI | ISSI |
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8K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM | |
IS61C64AL-10JLI | ISSI |
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8K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM | |
IS61C64AL-10JLI-TR | ISSI |
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Standard SRAM, 8KX8, 10ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOJ-28 | |
IS61C64AL-10TI | ISSI |
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8K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM | |
IS61C64AL-10TLI | ISSI |
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8K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |