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IS61C64AH-25JI

更新时间: 2024-11-17 14:42:55
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 174K
描述
Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28

IS61C64AH-25JI 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOJ
包装说明:SOJ,针数:28
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.66
Is Samacsys:N最长访问时间:25 ns
其他特性:AUTOMATIC POWER-DOWNJESD-30 代码:R-PDSO-J28
JESD-609代码:e0长度:18.161 mm
内存密度:65536 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8湿度敏感等级:3
功能数量:1端口数量:1
端子数量:28字数:8192 words
字数代码:8000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:8KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.556 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:TIN LEAD
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:7.59 mmBase Number Matches:1

IS61C64AH-25JI 数据手册

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