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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOJ |
| 包装说明： | SOJ, | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 20 ns |
| 其他特性： | AUTOMATIC POWER-DOWN | JESD-30 代码： | R-PDSO-J28 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 18.161 mm |
| 内存密度： | 65536 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 8192 words |
| 字数代码： | 8000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 8KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOJ | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 3.556 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 7.59 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IS61C64AH-20N | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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| IS61C64AH-20NI | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 20ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
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| IS61C64AH-20U | ICSI |
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8K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
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| IS61C64AH-25J | ICSI |
获取价格 |
8K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
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| IS61C64AH-25JI | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 |
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| IS61C64AH-25N | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| IS61C64AH-25NI | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
|
| IS61C64AH-25U | ICSI |
获取价格 |
8K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
|
| IS61C64AL | ISSI |
获取价格 |
8K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
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| IS61C64AL_0610 | ISSI |
获取价格 |
8K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM |
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