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IS61C64AH-12NI

更新时间: 2024-11-24 14:42:55
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 174K
描述
Standard SRAM, 8KX8, 12ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28

IS61C64AH-12NI 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP,针数:28
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.78
Is Samacsys:N最长访问时间:12 ns
其他特性:AUTOMATIC POWER-DOWNJESD-30 代码:R-PDIP-T28
长度:35.306 mm内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:28字数:8192 words
字数代码:8000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:8KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified座面最大高度:4.572 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1

IS61C64AH-12NI 数据手册

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