是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOJ | 包装说明: | SOJ, |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.02 |
风险等级: | 5.88 | Is Samacsys: | N |
访问模式: | FAST PAGE WITH EDO | 最长访问时间: | 60 ns |
其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | JESD-30 代码: | R-PDSO-J28 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 18.161 mm |
内存密度: | 16777216 bit | 内存集成电路类型: | EDO DRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 2097152 words | 字数代码: | 2000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 2MX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOJ |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 240 | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 3.556 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 7.62 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IS41C8200A-60J | ISSI |
获取价格 |
EDO DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 | |
IS41C8205 | ISSI |
获取价格 |
2M x 8 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE | |
IS41C82052-50J | ISSI |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 2MX8, 50ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 | |
IS41C82052-50JI | ISSI |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 2MX8, 50ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 | |
IS41C82052-50T | ISSI |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 2MX8, 50ns, CMOS, PDSO28, TSOP2-28 | |
IS41C82052-50TI | ISSI |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 2MX8, 50ns, CMOS, PDSO28, TSOP2-28 | |
IS41C82052-60J | ETC |
获取价格 |
x8 Fast Page Mode DRAM | |
IS41C82052-60JI | ISSI |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 | |
IS41C82052-60T | ISSI |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28, TSOP2-28 | |
IS41C82052-60TI | ISSI |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28, TSOP2-28 |