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IS41C85120-35K

更新时间： 2024-09-18 04:44:43
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI /
页数 文件大小 规格书
19页 145K
描述
512K x 8 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

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IS41C85120-35K 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOJ包装说明：SOJ,
针数：28Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.88访问模式：FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：35 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码：R-PDSO-J28JESD-609代码：e0
长度：18.42 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：EDO DRAM内存宽度：8
功能数量：1端口数量：1
端子数量：28字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：512KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOJ封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified座面最大高度：3.76 mm
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

IS41C85120-35K 数据手册

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®
IS41C85120  
IS41LV85120  
ISSI  
512K x 8 (4-MBIT) DYNAMIC RAM  
WITH EDO PAGE MODE  
PRELIMINARY INFORMATION  
SEPTEMBER 2001  
FEATURES  
DESCRIPTION  
• TTL compatible inputs and outputs  
• Refresh Interval: 1024 cycles/16 ms  
The ISSI IS41C85120 and IS41LV85120 are 524,288 x 8-bit  
high-performance CMOS Dynamic Random Access  
Memory. Both products offer accelerated cycle access EDO  
Page Mode. EDO Page Mode allows 512 random accesses  
within a single row with access cycle time as short as 10ns per  
8-bit word. The Byte Write control, of upper and lower byte,  
makes the IS41C85120 and IS41LV85120 ideal for use in 16  
and 32-bit wide data bus systems.  
• Refresh Mode : RAS-Only, CAS-before-RAS  
(CBR), and Hidden  
• JEDEC standard pinout  
• Single power supply  
5V ± 10% (IS41C85120)  
3.3V ± 10% (IS41LV85120)  
• Industrail Temperature Range -40oC to 85oC  
These features make the IS41C85120 and IS41LV85120  
ideally suited for high band-width graphics, digital signal  
processing, high-performance computing systems, and pe-  
ripheral applications.  
The IS41C85120 and IS41LV85120 are available in a  
28-pin, 400-mil SOJ package.  
KEY TIMING PARAMETERS  
PIN CONFIGURATION  
28-Pin SOJ  
Parameter  
-35  
35  
10  
18  
12  
60  
-60  
60  
Unit  
ns  
Max. RAS Access Time (tRAC)  
Max. CAS Access Time (tCAC)  
Max. Column Address Access Time (tAA)  
Min. Fast Page Mode Cycle Time (tPC)  
Min. Read/Write Cycle Time (tRC)  
15  
ns  
30  
ns  
VCC  
I/O0  
I/O1  
I/O2  
I/O3  
NC  
1
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
GND  
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
CAS  
OE  
25  
ns  
2
110  
ns  
3
4
5
6
PIN DESCRIPTIONS  
WE  
RAS  
A9  
7
A0-A9  
I/O0-I/O7  
WE  
Address Inputs  
8
NC  
Data Inputs/Outputs  
Write Enable  
9
A8  
A0  
10  
11  
12  
13  
14  
A7  
A1  
A6  
OE  
Output Enable  
Row Address Strobe  
Column Address Strobe  
Power  
A2  
A5  
RAS  
CAS  
VCC  
A3  
A4  
VCC  
GND  
GND  
NC  
Ground  
No Connection  
This document contains PRELIMINARY INFORMATION data. ISSI reserves the right to make changes to its products at any time without notice in order to improve design and supply the  
best possible product. We assume no responsibility for any errors which may appear in this publication. © Copyright 2001, Integrated Silicon Solution, Inc.  
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774  
PRELIMINARYINFORMATION Rev. 00B  
1
09/25/01  
1234567...19

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与IS41C85120-35K相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IS41C85120-35K-TR ISSI

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 		暂无描述
IS41C85120-60K ISSI

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 		512K x 8 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41C85120-60KI ISSI

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 		512K x 8 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41C85120-60KI-TR ISSI

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 		DRAM
IS41C85120-60K-TR ISSI

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 		DRAM
IS41C85120A-60K ISSI

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 		EDO DRAM, 512KX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28
IS41C8512-35K ICSI

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 		512K x 8 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41C8512-35KI ICSI

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 		512K x 8 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
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