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IS41C8512-50T PDF预览

IS41C8512-50T

更新时间： 2024-02-20 09:01:18
品牌 Logo 应用领域
矽成 - ICSI 内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
18页 201K
描述
512K x 8 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

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IS41C8512-50T 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：TSOP-28Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.83Is Samacsys：N
访问模式：EDO PAGE最长访问时间：50 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G28
JESD-609代码：e0内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：EDO DRAM内存宽度：8
功能数量：1端口数量：1
端子数量：28字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：512KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP
封装等效代码：TSOP28,.46封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE认证状态：Not Qualified
刷新周期：1024反向引出线：NO
自我刷新：NO最大待机电流：0.002 A
最小待机电流：4.5 V最大压摆率：0.18 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

IS41C8512-50T 数据手册

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IS41C8512  
IS41LV8512  
512K x 8 (4-MBIT) DYNAMIC RAM  
WITH EDO PAGE MODE  
DESCRIPTION  
ꢀEATURES  
The ICSI IS41C8512 and IS41LV8512 is a 524,288 x 8-bit  
high-performanceCMOS DynamicRandomAccessMemories.  
The IS41C8512 offer an accelerated cycle access called EDO  
Page Mode. EDO Page Mode allows 512 random accesses  
within a single row with access cycle time as short as 10 ns per  
8-bit.  
• Extended Data-Out (EDO) Page Mode access cycle  
• TTL compatible inputs and outputs; tristate I/O  
• Refresh Interval: 1024 cycles /16 ms  
• Refresh Mode: RAS-Only, CAS-before-RAS (CBR),  
Hidden  
• JEDEC standard pinout  
These features make the IS41C8512and IS41LV8512 ideally  
suited for high-bandwidth graphics, digital signal processing,  
high-performance computing systems, and peripheral  
applications.  
• Single power supply:  
5V ± 10% (IS41C8512)  
3.3V ± 10% (IS41LV8512)  
• Byte Write and Byte Read operation via CAS  
• Industrail Temperature Range -40oC to 85oC  
The IS41C8512 is packaged in a 28-pin 400mil SOJ and  
400mil TSOP-2.  
KEY TIMING PARAMETERS  
Parameter  
-35  
35  
10  
18  
12  
60  
-50  
50  
14  
25  
20  
90  
-60  
60  
Unit  
ns  
Max. RAS Access Time (tRAC)  
Max. CAS Access Time (tCAC)  
Max. Column Address Access Time (tAA)  
Min. EDO Page Mode Cycle Time (tPC)  
Min. Read/Write Cycle Time (tRC)  
15  
ns  
30  
ns  
25  
ns  
110  
ns  
PIN CONꢀIGURATIONS  
28 Pin SOJ, TSOP-2  
PIN DESCRIPTIONS  
VCC  
I/O0  
I/O1  
I/O2  
I/O3  
NC  
1
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
GND  
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
CAS  
OE  
A0-A9  
I/O0-7  
WE  
Address Inputs  
Data Inputs/Outputs  
Write Enable  
2
3
4
5
OE  
Output Enable  
Row Address Strobe  
Column Address Strobe  
Power  
6
RAS  
CAS  
Vcc  
WE  
RAS  
A9  
7
8
NC  
9
A8  
A0  
10  
11  
12  
13  
14  
A7  
GND  
NC  
Ground  
A1  
A6  
No Connection  
A2  
A5  
A3  
A4  
VCC  
GND  
ICSI reserves the right to make changes to its products at any time without notice in order to improve design and supply the best possible product. We assume no responsibility for any errors  
which may appear in this publication. © Copyright 2000, Integrated Circuit Solution Inc.  
Integrated Circuit Solution Inc.  
DR008-0B  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IS41C8512-50TI ICSI

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 		512K x 8 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41C85125-35K ISSI

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 		512K x 8 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE
IS41C85125-35KI ISSI

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 		512K x 8 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE
IS41C85125-60K ISSI

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 		512K x 8 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE
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 		512K x 8 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE
IS41C85125A-60K ISSI

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 		Fast Page DRAM, 512KX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28
IS41C8512-60K ICSI

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 		512K x 8 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
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