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IS41C85125-35KI PDF预览

IS41C85125-35KI

更新时间： 2024-01-11 14:14:41
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
16页 144K
描述
512K x 8 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE

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IS41C85125-35KI 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOJ包装说明：SOJ,
针数：28Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.88Is Samacsys：N
访问模式：FAST PAGE最长访问时间：35 ns
其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHJESD-30 代码：R-PDSO-J28
JESD-609代码：e0长度：18.42 mm
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：FAST PAGE DRAM
内存宽度：8功能数量：1
端口数量：1端子数量：28
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：512KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOJ
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
座面最大高度：3.76 mm最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

IS41C85125-35KI 数据手册

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®
IS41C85125  
IS41LV85125  
512K x 8 (4-MBIT) DYNAMIC RAM  
WITH FAST PAGE MODE  
ISSI  
PRELIMINARYINFORMATION  
AUGUST2001  
FEATURES  
DESCRIPTION  
The ISSI IS41Cꢁ5125 and IS41LVꢁ5125 are 512,2ꢁꢁ x ꢁ-bit  
high-performance CMOS Dynamic Random Access  
Memories.FastPageModeallows1024randomaccesses  
within a single row with access cycle time as short as 12  
ns per ꢁ-bit word.  
• Fast access and cycle time  
• TTL compatible inputs and outputs  
• Refresh Interval: 1024 cycles/16 ms  
•
Refresh Mode: RAS-Only, CAS-before-RAS  
(CBR), and Hidden  
ThesefeaturesmaketheIS41Cꢁ5125andtheIS41LVꢁ5125  
ideally suited for high band-width graphics, digital signal  
processing, high-performance computing systems, and  
peripheral applications.  
• JEDEC standard pinout  
• Single power supply:  
-- 5V 10ꢀ (IS41Cꢁ5125)  
-- 3.3V 10ꢀ (IS41LVꢁ5125)  
The IS41Cꢁ5125 and IS41LVꢁ5125 are available in a  
2ꢁ-pin, 400-mil SOJ package.  
• Industrialtemperatureavailable  
KEY TIMING PARAMETERS  
PIN CONFIGURATION  
28-Pin SOJ  
Parameter  
-35  
-60  
60  
Unit  
ns  
Max. RAS Access Time (tRAC)  
Max. CAS Access Time (tCAC)  
Max. Column Address Access Time (tAA)  
Min. Fast Page Mode Cycle Time (tPC)  
Min. Read/Write Cycle Time (tRC)  
35  
10  
1ꢁ  
12  
60  
15  
ns  
30  
ns  
VCC  
I/O0  
I/O1  
I/O2  
I/O3  
NC  
1
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
GND  
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
CAS  
OE  
25  
ns  
2
110  
ns  
3
4
5
6
PIN DESCRIPTIONS  
WE  
RAS  
A9  
7
A0-A9  
I/O0-I/O7  
WE  
Address Inputs  
8
NC  
Data Inputs/Outputs  
Write Enable  
9
A8  
A0  
10  
11  
12  
13  
14  
A7  
A1  
A6  
OE  
Output Enable  
Row Address Strobe  
Column Address Strobe  
Power  
A2  
A5  
RAS  
CAS  
VCC  
A3  
A4  
VCC  
GND  
GND  
NC  
Ground  
No Connection  
This document contains PRELIMINARY INFORMATION data. ISSI reserves the right to make changes to its products at any time without notice in order to improve design and supply the  
best possible product. We assume no responsibility for any errors which may appear in this publication. © Copyright 2001, Integrated Silicon Solution, Inc.  
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774  
1
PRELIMINARYINFORMATION Rev. 00A  
09/25/01  
1234567...16

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与IS41C85125-35KI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IS41C85125-60K ISSI

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 		512K x 8 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE
IS41C85125-60KI ISSI

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 		512K x 8 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE
IS41C85125A-60K ISSI

获取价格

 		Fast Page DRAM, 512KX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28
IS41C8512-60K ICSI

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 		512K x 8 (4-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41C8512-60KI ICSI

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