5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IS41LV16100-60KE
IS41LV16100-60KE PDF预览

IS41LV16100-60KE

更新时间： 2024-01-11 10:36:18
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 169K
描述
EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, SOJ-42

阅读下载

中文翻译

获取价格

IS41LV16100-60KE 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOJ包装说明：SOJ, SOJ42,.44
针数：42Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.29访问模式：FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：60 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-J42
JESD-609代码：e0长度：27.305 mm
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：EDO DRAM
内存宽度：16功能数量：1
端口数量：1端子数量：42
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-30 °C组织：1MX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOJ封装等效代码：SOJ42,.44
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：1024
座面最大高度：3.7592 mm自我刷新：YES
最大待机电流：0.002 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.145 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：OTHER端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

IS41LV16100-60KE 数据手册

 浏览型号IS41LV16100-60KE的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IS41LV16100-60KE的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IS41LV16100-60KE的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IS41LV16100-60KE的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IS41LV16100-60KE的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IS41LV16100-60KE的Datasheet PDF文件第7页 
®
IS41C16100  
IS41LV16100  
1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM  
WITH EDO PAGE MODE  
ISSI  
FEBRUARY 2000  
FEATURES  
DESCRIPTION  
• TTL compatible inputs and outputs; tristate I/O  
The ISSI IS41C16100 and IS41LV16100 are 1,048,576 x 16-bit  
high-performance CMOS Dynamic Random Access Memories.  
ThesedevicesofferanacceleratedcycleaccesscalledEDOPage  
Mode. EDO Page Mode allows 1,024 random accesses within a  
singlerowwithaccesscycletimeasshortas20nsper16-bitword.  
The Byte Write control, of upper and lower byte, makes the  
IS41C16100idealforusein16-bitand32-bitwidedatabussystems.  
• RefreshInterval:  
— Auto refresh Mode: 1,024 cycles /16 ms  
—
RAS-Only, CAS-before-RAS (CBR), and Hidden  
— Self refresh Mode - 1,024 cycles / 128ms  
• JEDEC standard pinout  
These features make the IS41C16100and IS41LV16100 ideally  
suited for high-bandwidth graphics, digital signal processing,  
high-performancecomputingsystems,andperipheralapplications.  
• Single power supply:  
— 5V 10ꢀ (IS41C16100)  
— 3.3V 10ꢀ (IS41LV16100)  
The IS41C16100 and IS41LV16100 are packaged in a 42-pin  
400-mil SOJ and 400-mil 50- (44-) pin TSOP (Type II).  
• Byte Write and Byte Read operation via two CAS  
• Extended Temperature Range -30oC to 85oC  
• Industrail Temperature Range -40oC to 85oC  
KEY TIMING PARAMETERS  
Parameter  
-50  
50  
13  
25  
20  
84  
-60  
60  
Unit  
ns  
Max. RAS Access Time (tRAC)  
Max. CAS Access Time (tCAC)  
Max. Column Address Access Time (tAA)  
Min. EDO Page Mode Cycle Time (tPC)  
Min. Read/Write Cycle Time (tRC)  
15  
ns  
PIN CONFIGURATIONS  
30  
ns  
50(44)-Pin TSOP (Type II)  
42-PinSOJ  
25  
ns  
104  
ns  
VCC  
I/O0  
I/O1  
I/O2  
I/O3  
VCC  
I/O4  
I/O5  
I/O6  
I/O7  
NC  
1
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
GND  
I/O15  
I/O14  
I/O13  
I/O12  
GND  
I/O11  
I/O10  
I/O9  
VCC  
I/O0  
I/O1  
I/O2  
I/O3  
VCC  
I/O4  
I/O5  
I/O6  
I/O7  
NC  
1
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
GND  
I/O15  
I/O14  
I/O13  
I/O12  
GND  
I/O11  
I/O10  
I/O9  
I/O8  
NC  
2
2
3
3
4
4
5
5
PIN DESCRIPTIONS  
6
6
7
7
8
A0-A9  
I/O0-15  
WE  
Address Inputs  
Data Inputs/Outputs  
Write Enable  
8
9
9
10  
11  
I/O8  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
NC  
NC  
NC  
WE  
RAS  
NC  
NC  
A0  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
NC  
NC  
LCAS  
UCAS  
OE  
OE  
Output Enable  
LCAS  
UCAS  
OE  
WE  
RAS  
NC  
RAS  
UCAS  
LCAS  
Vcc  
Row Address Strobe  
A9  
Upper Column Address Strobe  
Lower Column Address Strobe  
Power  
A9  
NC  
A8  
A8  
A0  
A7  
A7  
A1  
A6  
A1  
A6  
A2  
A5  
A2  
A5  
A3  
A4  
A3  
A4  
GND  
NC  
Ground  
VCC  
GND  
VCC  
GND  
No Connection  
ISSI reserves the right to make changes to its products at any time without notice in order to improve design and supply the best possible product. We assume no responsibility for any  
errors which may appear in this publication. © Copyright 2000, Integrated Silicon Solution, Inc.  
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774  
1
Rev. F  
03/08/00  
1234567...20

中文翻译

下载PDF

与IS41LV16100-60KE相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IS41LV16100-60KI ISSI

获取价格

 		1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41LV16100-60T ISSI

获取价格

 		1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41LV16100-60TE ISSI

获取价格

 		EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-50/44
IS41LV16100-60TI ISSI

获取价格

 		1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41LV16100-60TL ISSI

获取价格

 		1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41LV16100-60TLI ISSI

获取价格

 		1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41LV16100A ISSI

获取价格

 		1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41LV16100A-50K ISSI

获取价格

 		1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41LV16100A-50KI ISSI

获取价格

 		1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41LV16100A-50KL ISSI

获取价格

 		1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

与IS41LV16100-60KE相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证