是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | TSOP2, | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.02 |
风险等级: | 5.74 | 访问模式: | FAST PAGE WITH EDO |
最长访问时间: | 50 ns | 其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G44 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 20.95 mm | 内存密度: | 16777216 bit |
内存集成电路类型: | EDO DRAM | 内存宽度: | 16 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 44 |
字数: | 1048576 words | 字数代码: | 1000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 1MX16 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP2 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 座面最大高度: | 1.2 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 | 宽度: | 10.16 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IS41LV16100B-50T | ISSI |
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1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
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IS41LV16100B-50TI | ISSI |
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1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
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IS41LV16100B-50TL | ISSI |
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1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
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IS41LV16100B-50TLI | ISSI |
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1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
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IS41LV16100B-60K | ISSI |
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IS41LV16100B-60KI | ISSI |
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1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
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IS41LV16100B-60KL | ISSI |
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IS41LV16100B-60KLI | ISSI |
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IS41LV16100B-60T | ISSI |
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IS41LV16100B-60TI | ISSI |
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