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IS41LV16100B-60KL

更新时间： 2024-02-03 01:33:33
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
22页 143K
描述
1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

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IS41LV16100B-60KL 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP2
包装说明：TSOP2, TSOP44/50,.46,32针数：50
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.02风险等级：5.69
Is Samacsys：N访问模式：FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：60 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G44
JESD-609代码：e3长度：20.95 mm
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：EDO DRAM
内存宽度：16湿度敏感等级：3
功能数量：1端口数量：1
端子数量：44字数：1048576 words
字数代码：1000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：1MX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装等效代码：TSOP44/50,.46,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：1024座面最大高度：1.2 mm
自我刷新：NO最大待机电流：0.002 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.17 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

IS41LV16100B-60KL 数据手册

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®
IS41LV16100B  
1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM  
WITH EDO PAGE MODE  
ISSI  
APRIL2005  
FEATURES  
DESCRIPTION  
• TTL compatible inputs and outputs; tristate I/O  
TheISSIIS41LV16100Bis1,048,576x16-bithigh-perfor-  
manceCMOS DynamicRandomAccessMemories. These  
devices offer an accelerated cycle access called EDO  
Page Mode. EDO Page Mode allows 1,024 random ac-  
cesses within a single row with access cycle time as short  
as 20 ns per 16-bit word.  
• Refresh Interval:  
— Auto refresh Mode: 1,024 cycles /16 ms  
—
RAS-Only, CAS-before-RAS (CBR), and Hidden  
• JEDEC standard pinout  
ThesefeaturesmaketheIS41LV16100Bideallysuited for  
high-bandwidthgraphics, digitalsignalprocessing, high-  
performance computing systems, and peripheral  
applications.  
• Single power supply: 3.3V ± 10%  
• Byte Write and Byte Read operation via two CAS  
• Industrial Temperature Range: -40oC to +85oC  
• Lead-free available  
The IS41LV16100B is packaged in a 42-pin 400-mil SOJ  
and 400-mil 50- (44-) pin TSOP (Type II).  
KEY TIMING PARAMETERS  
Parameter  
-50  
50  
-60  
60  
Unit  
ns  
PIN CONFIGURATIONS  
Max. RAS Access Time (tRAC)  
Max. CAS Access Time (tCAC)  
50(44)-Pin TSOP (Type II)  
42-PinSOJ  
14  
15  
ns  
Max. Column Address Access Time (tAA) 25  
30  
ns  
VDD  
I/O0  
I/O1  
I/O2  
I/O3  
VDD  
I/O4  
I/O5  
I/O6  
I/O7  
NC  
1
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
GND  
I/O15  
I/O14  
I/O13  
I/O12  
GND  
I/O11  
I/O10  
I/O9  
VDD  
I/O0  
I/O1  
I/O2  
I/O3  
VDD  
I/O4  
I/O5  
I/O6  
I/O7  
NC  
1
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
GND  
I/O15  
I/O14  
I/O13  
I/O12  
GND  
I/O11  
I/O10  
I/O9  
I/O8  
NC  
Min. EDO Page Mode Cycle Time (tPC)  
Min. Read/Write Cycle Time (tRC)  
30  
85  
40  
ns  
2
2
3
3
110  
ns  
4
4
5
5
6
6
7
PIN DESCRIPTIONS  
7
8
8
9
A0-A9  
I/O0-15  
WE  
Address Inputs  
DataInputs/Outputs  
WriteEnable  
9
10  
11  
I/O8  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
NC  
NC  
NC  
WE  
RAS  
NC  
NC  
A0  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
NC  
NC  
LCAS  
UCAS  
OE  
LCAS  
UCAS  
OE  
WE  
RAS  
NC  
OE  
OutputEnable  
A9  
RAS  
UCAS  
LCAS  
VDD  
RowAddressStrobe  
A9  
NC  
A8  
A8  
UpperColumnAddressStrobe  
LowerColumnAddressStrobe  
Power  
A0  
A7  
A7  
A1  
A6  
A1  
A6  
A2  
A5  
A2  
A5  
A3  
A4  
A3  
A4  
VDD  
GND  
VDD  
GND  
GND  
NC  
Ground  
NoConnection  
Copyright © 2005 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any time  
without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to  
obtain the latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.  
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774  
Rev. B  
1
04/14/05  
1234567...22

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IS41LV16100B-60KLI ISSI

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 		1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
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 		1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
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 		1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
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 		EDO DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, LEAD FREE, SOJ-42
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