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IS41C8200A-60J PDF预览

IS41C8200A-60J

更新时间： 2024-02-21 21:08:25
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
18页 109K
描述
EDO DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28

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IS41C8200A-60J 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOJ
包装说明：0.300 INCH, SOJ-28针数：28
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.02风险等级：5.92
访问模式：FAST PAGE WITH EDO最长访问时间：60 ns
其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-J28JESD-609代码：e0
长度：18.415 mm内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：EDO DRAM内存宽度：8
湿度敏感等级：3功能数量：1
端口数量：1端子数量：28
字数：2097152 words字数代码：2000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：2MX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOJ封装等效代码：SOJ28,.34
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：2048
座面最大高度：3.56 mm自我刷新：NO
最大待机电流：0.001 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.14 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：7.62 mmBase Number Matches：1

IS41C8200A-60J 数据手册

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®
IS41C8200A  
IS41LV8200A  
ISSI  
2M x 8 (16-MBIT) DYNAMIC RAM  
WITH EDO PAGE MODE  
APRIL2004  
FEATURES  
DESCRIPTION  
• Extended Data-Out (EDO) Page Mode access cycle  
• TTL compatible inputs and outputs  
• RefreshInterval:  
-- 2,048 cycles/32 ms  
• Refresh Mode: RAS-Only,  
CAS-before-RAS (CBR), and Hidden  
• Single power supply:  
5V±10% or 3.3V ± 10%  
• Byte Write and Byte Read operation via two CAS  
The ISSI IS41C8200A and IS41LV8200A are 2,097,152 x 8-  
bit high-performance CMOS Dynamic Random Access  
Memory. These devices offer an accelaratedcycle access  
called EDO Page Mode. EDO Page Mode allows 2,048  
randomaccesseswithinasinglerowwithaccesscycletime  
as short as 20 ns per 4-bit word.  
These features make the IS41C8200A and IS41LV8200A  
ideally suited for high-bandwidth graphics, digital signal  
processing, high-performance computing systems, and  
peripheral applications.  
TheIS41C8200AandIS41LV8200Aarepackagedin28-pin  
300-mil SOJ with JEDEC standard pinouts.  
PRODUCT SERIES OVERVIEW  
KEY TIMING PARAMETERS  
Part No.  
Refresh  
2K  
Voltage  
5V ± 10%  
3.3V ± 10%  
IS41C8200A  
IS41LV8200A  
Parameter  
-50  
50  
14  
25  
20  
85  
-60  
60  
Unit  
ns  
2K  
RAS Access Time (tRAC)  
CAS Access Time (tCAC)  
Column Address Access Time (tAA  
15  
ns  
)
30  
ns  
EDO Page Mode Cycle Time (tPC  
)
25  
ns  
PIN CONFIGURATION  
28 Pin SOJ  
Read/WriteCycleTime(tRC)  
104  
ns  
VCC  
I/O0  
I/O1  
I/O2  
I/O3  
WE  
RAS  
NC  
1
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
GND  
2
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
CAS  
OE  
A9  
3
PIN DESCRIPTIONS  
4
5
A0-A10  
I/O0-7  
WE  
Address Inputs  
6
Data Inputs/Outputs  
Write Enable  
7
8
OE  
Output Enable  
Row Address Strobe  
Column Address Strobe  
Power  
A10  
A0  
9
A8  
10  
11  
12  
13  
14  
A7  
RAS  
CAS  
Vcc  
A1  
A6  
A2  
A5  
A3  
A4  
GND  
NC  
Ground  
VCC  
GND  
No Connection  
Copyright © 2004 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any time  
without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to  
obtain the latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.  
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774  
Rev. A  
1
04/01/04  
1234567...18

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