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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOJ |
| 包装说明： | 0.300 INCH, SOJ-28 | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.02 | 风险等级： | 5.92 |
| 访问模式： | FAST PAGE WITH EDO | 最长访问时间： | 60 ns |
| 其他特性： | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-J28 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 18.415 mm | 内存密度： | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型： | EDO DRAM | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 2097152 words | 字数代码： | 2000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 2MX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOJ | 封装等效代码： | SOJ28,.34 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 2048 |
| 座面最大高度： | 3.56 mm | 自我刷新： | NO |
| 最大待机电流： | 0.001 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.14 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 7.62 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IS41C8205 | ISSI | 2M x 8 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE |
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| IS41C82052-50J | ISSI | Fast Page DRAM, 2MX8, 50ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 |
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| IS41C82052-50JI | ISSI | Fast Page DRAM, 2MX8, 50ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 |
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| IS41C82052-50T | ISSI | Fast Page DRAM, 2MX8, 50ns, CMOS, PDSO28, TSOP2-28 |
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| IS41C82052-50TI | ISSI | Fast Page DRAM, 2MX8, 50ns, CMOS, PDSO28, TSOP2-28 |
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| IS41C82052-60J | ETC | x8 Fast Page Mode DRAM |
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