是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP |
包装说明: | SOP, TSSOP28,.53,22 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.02 | 风险等级: | 5.92 |
访问模式: | FAST PAGE | 最长访问时间: | 50 ns |
其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G28 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 16777216 bit | 内存集成电路类型: | FAST PAGE DRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 2097152 words | 字数代码: | 2000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 2MX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装等效代码: | TSSOP28,.53,22 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 240 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 2048 |
自我刷新: | NO | 最大待机电流: | 0.001 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.12 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.55 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
IS41C82052-60J | ETC | x8 Fast Page Mode DRAM |
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IS41C82052-60JI | ISSI | Fast Page DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 |
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IS41C82052-60T | ISSI | Fast Page DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28, TSOP2-28 |
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IS41C82052-60TI | ISSI | Fast Page DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28, TSOP2-28 |
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IS41C8205-50J | ISSI | 2M x 8 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE |
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IS41C8205-50JI | ISSI | 2M x 8 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE |
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