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IS41C8205A-60J PDF预览

IS41C8205A-60J

更新时间： 2024-09-18 20:59:59
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
17页 104K
描述
Fast Page DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28

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IS41C8205A-60J 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOJ
包装说明：0.300 INCH, SOJ-28针数：28
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.02风险等级：5.92
访问模式：FAST PAGE最长访问时间：60 ns
其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-J28JESD-609代码：e0
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：FAST PAGE DRAM
内存宽度：8湿度敏感等级：3
功能数量：1端口数量：1
端子数量：28字数：2097152 words
字数代码：2000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：2MX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOJ
封装等效代码：SOJ28,.34封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：2048自我刷新：NO
最大待机电流：0.001 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.15 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

IS41C8205A-60J 数据手册

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®
IS41C8205A  
IS41LV8205A  
ISSI  
2M x 8 (16-MBIT) DYNAMIC RAM  
WITH FAST PAGE MODE  
APRIL2004  
FEATURES  
DESCRIPTION  
• Fast Page Mode Access Cycle  
• TTL compatible inputs and outputs  
• RefreshInterval:  
-- 2,048 cycles/32 ms  
• Refresh Mode: RAS-Only,  
The ISSI IS41C8205A and IS41LV8205A are 2,097,152 x 8-  
bit high-performance CMOS Dynamic Random Access  
Memory. The Fast Page Mode allows 2,048 random ac-  
cesses within a single row with access cycle time as short  
as 20 ns per 4-bit word.  
CAS-before-RAS (CBR), and Hidden  
• Single power supply:  
5V±10% or 3.3V ± 10%  
• Byte Write and Byte Read operation via two CAS  
These features make the IS41C8205A and IS41LV8205A  
ideally suited for high-bandwidth graphics, digital signal  
processing, high-performance computing systems, and  
peripheral applications.  
TheIS41C8205AandIS41LV8205Aarepackagedin28-pin  
300-mil SOJ with JEDEC standard pinouts.  
PRODUCT SERIES OVERVIEW  
KEY TIMING PARAMETERS  
Part No.  
Refresh  
2K  
Voltage  
5V ± 10%  
3.3V ± 10%  
IS41C8205A  
IS41LV8205A  
Parameter  
-50  
50  
14  
25  
20  
85  
-60  
60  
Unit  
ns  
2K  
RAS Access Time (tRAC)  
CAS Access Time (tCAC)  
Column Address Access Time (tAA  
15  
ns  
)
30  
ns  
Fast Page Mode Cycle Time (tPC  
)
25  
ns  
PIN CONFIGURATION  
28 Pin SOJ  
Read/WriteCycleTime(tRC)  
104  
ns  
VCC  
I/O0  
I/O1  
I/O2  
I/O3  
WE  
RAS  
NC  
1
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
GND  
2
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
CAS  
OE  
A9  
3
PIN DESCRIPTIONS  
4
5
A0-A10  
I/O0-7  
WE  
Address Inputs  
6
Data Inputs/Outputs  
Write Enable  
7
8
OE  
Output Enable  
Row Address Strobe  
Column Address Strobe  
Power  
A10  
A0  
9
A8  
10  
11  
12  
13  
14  
A7  
RAS  
CAS  
Vcc  
A1  
A6  
A2  
A5  
A3  
A4  
GND  
NC  
Ground  
VCC  
GND  
No Connection  
Copyright © 2004 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any time  
without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to  
obtain the latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.  
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774  
Rev. A  
1
04/01/04  
1234567...17

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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