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IS41C8200A-60J

更新时间： 2024-02-18 15:51:37

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
18页	109K
描述
EDO DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28

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IS41C8200A-60J 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOJ
包装说明：	0.300 INCH, SOJ-28	针数：	28
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.92
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	60 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-J28	JESD-609代码：	e0
长度：	18.415 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	28
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	2MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOJ	封装等效代码：	SOJ28,.34
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	2048
座面最大高度：	3.56 mm	自我刷新：	NO
最大待机电流：	0.001 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.14 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

IS41C8200A

IS41LV8200A

ISSI

ORDERING INFORMATION

Commercial Range: 0°C to 70°C

Voltage: 5V

Speed(ns) Order Part No.

Package

IS41C8200A-50J

IS41C8200A-60J

300-mil SOJ

Voltage: 3.3V

Speed(ns) Order Part No.

Package

IS41LV8200A-50J

IS41LV8200A-60J

300-mil SOJ

Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774

Rev. A

04/01/04

1...15 16 1718

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IS41C8205	ISSI	2M x 8 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE	获取价格
IS41C82052-50J	ISSI	Fast Page DRAM, 2MX8, 50ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28	获取价格
IS41C82052-50JI	ISSI	Fast Page DRAM, 2MX8, 50ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28	获取价格
IS41C82052-50T	ISSI	Fast Page DRAM, 2MX8, 50ns, CMOS, PDSO28, TSOP2-28	获取价格
IS41C82052-50TI	ISSI	Fast Page DRAM, 2MX8, 50ns, CMOS, PDSO28, TSOP2-28	获取价格
IS41C82052-60J	ETC	x8 Fast Page Mode DRAM	获取价格