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IS41C8200-50JI PDF预览

IS41C8200-50JI

更新时间： 2024-09-18 02:54:11
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
18页 159K
描述
2M x 8 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

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IS41C8200-50JI 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOJ包装说明：SOJ,
针数：28Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.88Is Samacsys：N
访问模式：FAST PAGE WITH EDO最长访问时间：50 ns
其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHJESD-30 代码：R-PDSO-J28
JESD-609代码：e0长度：18.161 mm
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：EDO DRAM
内存宽度：8功能数量：1
端口数量：1端子数量：28
字数：2097152 words字数代码：2000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：2MX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOJ
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240认证状态：Not Qualified
座面最大高度：3.556 mm最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：TIN LEAD
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：7.62 mmBase Number Matches：1

IS41C8200-50JI 数据手册

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®
IS41C8200  
IS41LV8200  
2M x 8 (16-MBIT) DYNAMIC RAM  
WITH EDO PAGE MODE  
ISSI  
JUNE 2001  
FEATURES  
DESCRIPTION  
• Extended Data-Out (EDO) Page Mode access cycle  
• TTL compatible inputs and outputs  
• Refresh Interval:  
-- 2,048 cycles/32 ms  
• Refresh Mode: RAS-Only,  
CAS-before-RAS (CBR), and Hidden  
• Single power supply:  
5V 10ꢀ or 3.3V 10ꢀ  
• Byte Write and Byte Read operation via two CAS  
TheISSI IS41C8200andIS41LV8200are2,097,152x8-bithigh-  
performance CMOS Dynamic Random Access Memory.  
These devices offer an accelarated cycle access called  
EDO Page Mode. EDO Page Mode allows 2,048 random  
accesses within a single row with access cycle time as  
short as 20 ns per 4-bit word.  
These features make the IS41C8200 and IS41LV8200  
ideally suited for high-bandwidth graphics, digital signal  
processing, high-performance computing systems, and  
peripheral applications.  
• Industrial temperature range -40°C to 85°C  
The IS41C8200 and IS41LV8200 are packaged in 28-pin  
300-mil SOJ with JEDEC standard pinouts.  
PRODUCT SERIES OVERVIEW  
KEY TIMING PARAMETERS  
Part No.  
Refresh  
2K  
Voltage  
5V 10ꢀ  
3.3V 10ꢀ  
IS41C8200  
IS41LV8200  
Parameter  
-50  
50  
13  
25  
20  
84  
-60  
60  
Unit  
ns  
2K  
RAS Access Time (tRAC)  
CAS Access Time (tCAC)  
ColumnAddressAccessTime(tAA  
15  
ns  
)
30  
ns  
EDO Page Mode Cycle Time (tPC  
)
25  
ns  
PIN CONFIGURATION  
28 Pin SOJ  
Read/Write Cycle Time (tRC)  
104  
ns  
VCC  
I/O0  
I/O1  
I/O2  
I/O3  
WE  
RAS  
NC  
1
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
GND  
2
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
CAS  
OE  
A9  
3
PIN DESCRIPTIONS  
4
5
A0-A10  
I/O0-7  
WE  
Address Inputs  
6
Data Inputs/Outputs  
Write Enable  
7
8
OE  
Output Enable  
Row Address Strobe  
Column Address Strobe  
Power  
A10  
A0  
9
A8  
10  
11  
12  
13  
14  
A7  
RAS  
CAS  
Vcc  
A1  
A6  
A2  
A5  
A3  
A4  
GND  
NC  
Ground  
VCC  
GND  
No Connection  
ISSI reserves the right to make changes to its products at any time without notice in order to improve design and supply the best possible product. We assume no responsibility for any  
errors which may appear in this publication. © Copyright 2001, Integrated Silicon Solution, Inc.  
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774  
1
Rev. B  
06/22/01  
1234567...18

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与IS41C8200-50JI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IS41C8200-60J ISSI

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 		2M x 8 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41C8200-60JI ISSI

获取价格

 		2M x 8 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
IS41C8200A-60J ISSI

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 		EDO DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28
IS41C8205 ISSI

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 		2M x 8 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE
IS41C82052-50J ISSI

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 		Fast Page DRAM, 2MX8, 50ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28
IS41C82052-50JI ISSI

获取价格

 		Fast Page DRAM, 2MX8, 50ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28
IS41C82052-50T ISSI

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 		Fast Page DRAM, 2MX8, 50ns, CMOS, PDSO28, TSOP2-28
IS41C82052-50TI ISSI

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 		Fast Page DRAM, 2MX8, 50ns, CMOS, PDSO28, TSOP2-28
IS41C82052-60J ETC

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 		x8 Fast Page Mode DRAM
IS41C82052-60JI ISSI

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