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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| Factory Lead Time： | 15 weeks | 风险等级： | 0.82 |
| Samacsys Confidence： | 3 | Samacsys Status： | Released |
| Samacsys PartID： | 836830 | Samacsys Pin Count： | 3 |
| Samacsys Part Category： | MOSFET (P-Channel) | Samacsys Package Category： | SOT23 (3-Pin) |
| Samacsys Footprint Name： | SOT-23/TO-236AB) | Samacsys Released Date： | 2018-09-25 20:46:22 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.54 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.76 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.6 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.28 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRLML5103GTRPBF | INFINEON |
完全替代  |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.76A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRLML5103TR | INFINEON |
类似代替 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.76A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| NDS352AP | FAIRCHILD |
功能相似 |
P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRLML5103TRPBF-1 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor |
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| IRLML5203 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=-30V) |
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| IRLML5203 | KEXIN |
获取价格 |
N-Channel MOSFET |
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| IRLML5203 | HOTTECH |
获取价格 |
SOT-23 |
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| IRLML5203GPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRLML5203GTRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Ultra Low On-Resistance |
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| IRLML5203PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢Power MOSFET |
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| IRLML5203PBF | TYSEMI |
获取价格 |
Ultra Low On-Resistance P-Channel MOSFET Surface Mount Available in Tape & Reel |
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| IRLML5203TR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 30V, 0.098ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| IRLML5203TR | UMW |
获取价格 |
漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:-3A;栅极-源极阈 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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