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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> NDS352AP
NDS352AP PDF预览

NDS352AP

更新时间： 2024-11-17 22:29:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
6页 81K
描述
P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

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NDS352AP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SSOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：3.3
Samacsys Confidence：2Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：999142Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：MOSFET (P-Channel)Samacsys Package Category：SOT23 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name：SOT-23 (TO-236)Samacsys Released Date：2018-02-22 15:33:36
Is Samacsys：N其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.9 A最大漏极电流 (ID)：0.9 A
最大漏源导通电阻：0.3 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NDS352AP 数据手册

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February 1997  
NDS352AP  
P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
These P -Channel logic level enhancement mode power field  
effect transistors are produced using Fairchild's proprietary,  
high cell density, DMOS technology. This very high density  
process is especially tailored to minimize on-state resistance.  
These devices are particularly suited for low voltage applications  
such as notebook computer power management, portable  
electronics, and other battery powered circuits where fast  
high-side switching, and low in-line power loss are needed in a  
very small outline surface mount package.  
-0.9 A, -30 V. RDS(ON) = 0.5 W @ VGS = -4.5 V  
RDS(ON) = 0.3 W @ VGS = -10 V.  
Industry standard outline SOT-23 surface mount package  
using proprietary SuperSOTTM-3 design for superior thermal  
and electrical capabilities.  
High density cell design for extremely low RDS(ON)  
.
Exceptional on-resistance and maximum DC current  
capability.  
________________________________________________________________________________  
D
S
G
Absolute Maximum Ratings  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol Parameter  
NDS352AP  
-30  
Units  
Drain-Source Voltage  
V
V
A
VDSS  
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage - Continuous  
±20  
±0.9  
Maximum Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
(Note 1a)  
±10  
PD  
Maximum Power Dissipation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
0.5  
W
0.46  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
°C  
TJ,TSTG  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1)  
250  
75  
°C/W  
°C/W  
R
JA  
q
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
R
JC  
q
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
NDS352AP Rev.D  
123456

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NDS352AP 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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