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NDS355AN PDF预览

NDS355AN

更新时间： 2024-11-17 22:29:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 63K
描述
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

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NDS355AN 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SSOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：3.04
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.7 A最大漏极电流 (ID)：1.7 A
最大漏源导通电阻：0.085 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NDS355AN 数据手册

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January 1997  
NDS355AN  
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
1.7A, 30 V, RDS(ON) = 0.125 W @ VGS = 4.5 V  
SuperSOTTM-3 N-Channel logic level enhancement mode  
power field effect transistors are produced using Fairchild's  
proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high  
density process is especially tailored to minimize on-state  
resistance. These devices are particularly suited for low voltage  
applications in notebook computers, portable phones, PCMCIA  
RDS(ON) = 0.085 W @ VGS = 10 V.  
Industry standard outline SOT-23 surface mount package  
using proprietary SuperSOTTM-3 design for superior  
thermal and electrical capabilities.  
cards, and  
other battery powered circuits where fast  
High density cell design for extremely low RDS(ON)  
.
switching, and low in-line power loss are needed in a very small  
outline surface mount package.  
Exceptional on-resistance and maximum DC current  
capability.  
Compact industry standard SOT-23 surface mount  
package.  
_______________________________________________________________________________  
D
S
G
Absolute Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Parameter  
NDS355AN  
Units  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage - Continuous  
30  
V
V
A
±20  
Maximum Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
(Note 1a)  
1.7  
10  
PD  
Maximum Power Dissipation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
0.5  
W
0.46  
TJ,TSTG  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
250  
75  
°C/W  
°C/W  
Rq  
Rq  
JA  
JC  
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
NDS355AN Rev.C  
123456

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NDS355AN 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MGSF1N03LT1G ONSEMI

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IRLML0030TRPBF INFINEON

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与NDS355AN相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NDS355AND87Z FAIRCHILD

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NDS355AN-F169 ONSEMI

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 		N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管，30V，1.7A，85mΩ
NDS355ANL99Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
NDS355AN-NB9L007A ONSEMI

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 		1600mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
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 		1600mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB

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