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NDS356AP PDF预览

NDS356AP

更新时间： 2024-11-17 22:29:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 81K
描述
P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

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NDS356AP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SSOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.3
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.1 A
最大漏极电流 (ID)：1.1 A最大漏源导通电阻：0.2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NDS356AP 数据手册

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September 1996  
NDS356AP  
P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
SuperSOTTM-3  
P-Channel logic level enhancement mode  
-1.1 A, -30 V, RDS(ON) = 0.3 W @ VGS=-4.5 V  
power field effect transistors are produced using Fairchild's  
proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high  
density process is especially tailored to minimize on-state  
resistance. These devices are particularly suited for low voltage  
applications such as notebook computer power management,  
portable electronics, and other battery powered circuits where  
RDS(ON) = 0.2 W @ VGS=-10 V.  
Industry standard outline SOT-23 surface mount package  
using proprietary SuperSOTTM-3 design for superior  
thermal and electrical capabilities.  
High density cell design for extremely low RDS(ON)  
.
fast high-side switching, and low in-line power loss  
needed in a very small outline surface mount package.  
are  
Exceptional on-resistance and maximum DC current  
capability.  
________________________________________________________________________________  
D
S
G
Absolute Maximum Ratings  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol Parameter  
NDS356AP  
-30  
Units  
VDSS  
VGSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
V
V
A
Gate-Source Voltage - Continuous  
±20  
Maximum Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
(Note 1a)  
±1.1  
±10  
Maximum Power Dissipation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
0.5  
W
PD  
0.46  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
°C  
TJ,TSTG  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a)  
250  
75  
°C/W  
°C/W  
R
JA  
q
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1)  
R
JC  
q
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
NDS356AP Rev.C1  
123456

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NDS356AP 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRLML5103TRPBF INFINEON

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 generation v technology
IRLML5203TRPBF INFINEON

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 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		1100mA, 30V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
NDS356AP_NL FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
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