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NDS356PD87Z

更新时间： 2024-11-11 20:10:59
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 78K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-3

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NDS356PD87Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.32其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：1.1 A最大漏源导通电阻：0.21 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：P-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NDS356PD87Z 数据手册

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March 1996  
NDS356P  
P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
-1.1 A, -20V. RDS(ON) = 0.3W @ VGS = -4.5V.  
These P-Channel logic level enhancement mode power  
field effect transistors are produced using Fairchild's  
proprietary, high cell density, DMOS technology. This  
very high density process is especially tailored to  
minimize on-state resistance. These devices are  
particularly suited for low voltage applications such as  
notebook computer power management, portable  
electronics, and other battery powered circuits where  
fast high-side switching, and low in-line power loss are  
needed in a very small outline surface mount package.  
Proprietary package design using copper lead frame for  
superior thermal and electrical capabilities.  
High density cell design for extremely low RDS(ON)  
.
Exceptional on-resistance and maximum DC current  
capability.  
Compact industry standard SOT-23 surface mount  
package.  
_______________________________________________________________________________  
D
S
G
Absolute Maximum Ratings  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Parameter  
NDS356P  
-20  
Units  
Drain-Source Voltage  
V
V
A
Gate-Source Voltage - Continuous  
± 12  
Maximum Drain Current  
- Continuous  
- Pulsed  
(Note 1a)  
±1.1  
±10  
PD  
Maximum Power Dissipation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
0.5  
W
0.46  
TJ,TSTG  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
250  
75  
°C/W  
°C/W  
R
JA  
JC  
q
(Note 1a)  
(Note 1)  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
R
q
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
NDS356P Rev. E1  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NDS356PL99Z FAIRCHILD

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