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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.7 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 1.1 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 0.46 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NDS356AP/S62Z | TI |
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1100mA, 30V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
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| NDS356AP_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| NDS356APD87Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| NDS356APL99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| NDS356AP-NB8L005A | FAIRCHILD |
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Transistor |
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| NDS356AP-NB8L005A | ONSEMI |
获取价格 |
-30V P 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管 |
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| NDS356APS62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
|
| NDS356P | TYSEMI |
获取价格 |
SUPERSOT-3 |
|
| NDS356P | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| NDS356P/L99Z | TI |
获取价格 |
1100mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
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