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IRLML5203

更新时间： 2024-06-27 12:11:28

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SOT-23

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IRLML5203 数据手册

IRLML5203

P-Channel Power MOSFET

FEATURES



GenerationV Technology

Ultra Low On-Resistance

Low Profile (<1.1mm)

Fast Switching

SOT-23

MECHANICAL DATA



Case: SOT-23

Case Material: Molded Plastic. ULflammability

Classification Rating: 94V-0

Weight: 0.008 grams (approximate)

Absolute Maximum Ratings (T_A= 25°C unless otherwise noted)

Parameter

Drain- Source Voltage

Max.

-30

Units

V_DS

I_D@ T_A= 25°C

Continuous Drain Current, V_GS@ -10V

-3.0

I_D@ T_A= 70°C

I_DM

-2.4

Pulsed Drain Current

Power Dissipation

-24

P_D@T_A= 25°C

P_D@T_A= 70°C

1.25

0.80

Linear Derating Factor

mW/°C

V_GS

Gate-to-Source Voltage

± 20

Junction and Storage Temperature Range

-55 to + 150

°C

T_J,T_STG

R_JA

Maximum Junction-to-Ambient

100

°C/W

Electrical Characteristics @ T_J= 25°C (unless otherwise specified)

Parameter

Min. Typ. Max. Units

Conditions

V_(BR)DSS

Drain-to-Source Breakdown Voltage

T_JBreakdown Voltage Temp. Coefficient

-30 ––– –––

V_GS= 0V, I_D= -250µA



V_(BR)DSS



––– 0.019 ––– V/°C Reference to 25°C, I_D= -1mA

––– –––

V_GS= -10V, I = -3.0A

R_DS(on)

Static Drain-to-Source On-Resistance

m

––– ––– 165

-1.0 ––– -2.5

3.1 ––– –––

––– ––– -1.0

––– ––– -5.0

––– ––– -100

––– ––– 100

V_GS= -4.5V, I_D= -2.6A

V_DS= V_GS, I_D= -250µA

V_DS= -10V, I_D= -3.0A

V_DS= -24V, V_GS= 0V

V_GS(th)

g_fs

Gate Threshold Voltage

Forward Transconductance

I_DSS

I_GSS

Drain-to-Source Leakage Current

µA

V_DS= -24V, V_GS= 0V, T_J= 70°C

V_GS= -20V

Gate-to-Source Forward Leakage

Gate-to-Source Reverse Leakage

Total Gate Charge

V_GS= 20V

Q_g

––– 9.5

I_D= -3.0A

Q_gs

Gate-to-Source Charge

Gate-to-Drain ("Miller") Charge

Turn-On Delay Time

Rise Time

––– 2.3 3.5

––– 1.6 2.4

––– 12 –––

––– 18 –––

––– 88 –––

––– 52 –––

––– 510 –––

––– 71 –––

––– 43 –––

nC V_DS= -24V

V_GS= -10V

Q_gd

t_d(on)

V_DD= -15V

t_r

I_D= -1.0A

t_d(off)

Turn-Off Delay Time

Fall Time

R_G= 6.0

t_f

V_GS= -10V

V_GS= 0V

C_iss

C_oss

Input Capacitance

Output Capacitance

V_DS= -25V

ƒ = 1.0MHz

C_rss

Reverse Transfer Capacitance

Source-Drain Ratings and Characteristics

Parameter

Continuous Source Current

(Body Diode)

Min. Typ. Max. Units

Conditions

I_S

MOSFET symbol

–––

––– -1.3

showing the

integral reverse

I_SM

Pulsed Source Current

-24

–––

(Body Diode)

p-n junction diode.

V_SD

t_rr

Diode Forward Voltage

Reverse Recovery Time

Reverse Recovery Charge

––– ––– -1.2

T_J= 25°C, I_S= -1.3A, V_GS= 0V

T_J= 25°C, I_F= -1.3A

––– 17

––– 12

Q_rr

nC di/dt = -100A/µs

Notes:

Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature.

 

Pulse width 400µs; duty cycle 2%.

Surface mounted on FR-4 board, t  5sec.

1 / 6

E-mail:hkt@heketai.com

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