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IRLML5203TR

更新时间： 2024-10-15 17:15:55

品牌	Logo	应用领域
友台半导体 - UMW		栅栅极
页数	文件大小	规格书
9页	1890K
描述
漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:-3A;栅极-源极阈值电压:3V @ 250uA;漏源导通电阻:85mΩ@-10V;最大功耗（Ta = 25°C）:300mW;种类:P-Channel;Vgs(th)(V):±20

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IRLML5203TR 数据手册

UMW

IRLML5203

SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS

SOT–23

P-Channel 30-V(D-S) MOSFET

IRLML5203

I_D

V_(BR)DSS

R_DS(on)MAX

\85mΩ@

-10 V

-4.5V

1. BASE

-3.

-30V

145mΩ

2. EMITTER

3. COLLECTOR

General Description

The UMW IRLML5203TR uses advanced trench technology to provide excellent

R_DS(on)with low gate charge. This device is suitable for use as a load

switch or in PWM applications.

Equivalent Circuit

Maximum ratings (T_a=25℃ unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Value

Units

Drain-Source voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

I_D

-30

±20

Continuous Drain Current

Drain Current-Pulsed

-3.0

I_DM

P_D

-24

Power Dissipation

300

℃/W

℃

Thermal Resistance from Junction to Ambient

Junction Temperature

R_θJA

T_J

417

150

Storage Temperature

T_STG

-55~ +150

℃

www.umw-ic.com

友台半导体有限公司

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