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IRLML5103TRPBF-1

更新时间： 2024-11-18 20:00:03

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描述
Small Signal Field-Effect Transistor

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IRLML5103TRPBF-1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.27
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.76 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	湿度敏感等级：	1
最高工作温度：	150 °C	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.54 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

IRLML5103TRPBF-1 数据手册

IRLML5103PbF-1

HEXFET^®Power MOSFET

V_DS

R_{DS(on) max}

(@V_GS= -10V)

Q_{g (typical)}

I_D

-30

0.60

3.4

-0.76

(@T_A= 25°C)

Micro3™

Features

Benefits

Industry-standard pinout SOT-23 Package

Compatible with Existing Surface Mount Techniques

RoHS Compliant, Halogen-Free

Multi-Vendor Compatibility

Easier Manufacturing

Environmentally Friendlier

Increased Reliability

⇒

MSL1, Industrial qualification

Standard Pack

Base Part Number

Package Type

Orderable Part Number

IRLML5103TRPbF-1

Form

Quantity

IRLML5103TRPbF-1

Micro3 (SOT-23)

Tape and Reel

3000

™

AbsoluteMaximumRatings

Parameter

Max.

Units

I_D@ T_A= 25°C

I_D@ T_A= 70°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ -10V

Pulsed Drain Current

-0.76

-0.61

-4.8

P_D@T_A= 25°C

Power Dissipation

540

mW/°C

Linear Derating Factor

4.3

V_GS

Gate-to-Source Voltage

± 20

dv/dt

T_J,T_STG

Peak Diode Recovery dv/dt

Junction and Storage Temperature Range

-5.0

V/ns

°C

-55 to + 150

ThermalResistance

Parameter

Maximum Junction-to-Ambient

Typ.

Max.

230

Units

°C/W

R_θJA

November 25, 2013

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IRLML5203GPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRLML5203GTRPBF	INFINEON	获取价格	Ultra Low On-Resistance
IRLML5203PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢Power MOSFET
IRLML5203PBF	TYSEMI	获取价格	Ultra Low On-Resistance P-Channel MOSFET Surface Mount Available in Tape & Reel
IRLML5203TR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 30V, 0.098ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRLML5203TR	UMW	获取价格	漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:-3A;栅极-源极阈
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